Samsung Electronics Co., Ltd. lanzó la tercera generación de su High Bandwidth Memory 2E (HBM2E), también conocida como "Flashbolt". La última generación de HBM2E tiene 16 GB, lo que la hace ideal para sistemas HPC y, al mismo tiempo, ayuda con supercomputadoras, análisis de datos impulsados por IA y sistemas de gráficos de última generación. Aquabolt se seguirá produciendo mientras esta generación esté en producción.
La generación anterior, Aquabolt, tenía una capacidad de 8GB. Flashbolt alcanza los 16 GB al apilar verticalmente ocho capas de DRAM de 10 nm (1 año) y 16 gigabits (Gb) sobre un chip de búfer. Además, Flashbolt está interconectado en una disposición precisa de más de 40,000 16 microprotuberancias 'a través de la vía de silicio' (TSV), con cada troquel de 5,600 Gb que contiene más de 3.2 de estos agujeros microscópicos. En cuanto al rendimiento, Samsung afirma que la última generación puede alcanzar una velocidad de transferencia de datos fiable de 410 gigabits por segundo y un ancho de banda de memoria de 307 GB/s por pila. Esta es una gran mejora con respecto a los XNUMX GB/s de la última generación.
Disponibilidad
Samsung espera comenzar la producción en volumen durante la primera mitad de 2020.
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