Sandisk y Kioxia han comenzado a distribuir muestras de la memoria NAND 3D TLC BiCS10 de 1 TB, la décima generación de la memoria flash BiCS que ambas compañías desarrollan y fabrican conjuntamente. Los anuncios se producen simultáneamente debido a que comparten la tecnología: Sandisk la presenta como una solución para cargas de trabajo intensivas en datos, con mayor densidad, interfaces más rápidas y mejor eficiencia energética, mientras que Kioxia dirige su versión directamente a las unidades SSD empresariales y de centros de datos, diseñadas para satisfacer la creciente demanda de almacenamiento para IA. Se trata de la misma memoria NAND de 332 capas de la misma empresa conjunta, anunciada por ambas compañías.
Un salto de 332 capas en la densidad
El cambio principal radica en las capas. BiCS10 apila 332 capas y, combinado con un escalado lateral avanzado y una eficiencia de planta mejorada, alcanza una densidad de memoria TLC de 1 Tb líder en la industria, superior a 29 Gb/mm². En comparación con el nodo BiCS8 de octava generación, actualmente en producción en masa, esto representa una mejora del 59 % en la densidad de bits. Una mayor densidad de bits es el dato más importante para los compradores, ya que reduce el costo por bit y permite a los fabricantes de unidades obtener mayor capacidad de la misma área de chip. Con 332 capas, BiCS10 se sitúa a la vanguardia de la carrera de apilamiento de NAND 3D, en la misma categoría que la generación de 321 capas de SK hynix y un claro paso más allá de los nodos de 276 capas que definieron la ola anterior.
Interfaz más rápida, menor consumo de energía.
La memoria BiCS10 TLC admite una velocidad de interfaz NAND de hasta 4.8 Gb/s, una mejora del 33 % con respecto a la memoria flash de octava generación en producción en masa, lo que proporciona a los fabricantes de controladores el ancho de banda del lado NAND que necesitarán las futuras unidades SSD PCIe Gen6. La eficiencia energética también mejora, aunque ambos socios la cuantifican de forma diferente. Sandisk cita una reducción del 10 % en la potencia de entrada de datos y una reducción del 34 % en la potencia de salida de datos en comparación con BiCS8. Kioxia describe las mejoras como un 18 % y un 30 % en la eficiencia energética de escritura y lectura, respectivamente. En cualquier caso, la tendencia es la misma, y el beneficio es más significativo en implementaciones empresariales densas y centros de datos, donde la potencia NAND se acumula en miles de unidades.
Construido sobre CBA, hecho en Kitakami
Ambas compañías siguen desarrollando la tecnología CMOS Directly Bonded to Array (CBA), en la que la lógica CMOS y la matriz de memoria se fabrican en obleas separadas y luego se unen mediante alineación oblea a oblea. Adoptada por primera vez en la octava generación, la tecnología CBA se combina aquí con la tecnología On-Pitch Select Gate Drain (OPS), y BiCS10 amplía esta base con una matriz más alta y densa. Kioxia afirma que los dispositivos de décima generación se fabricarán con equipos de última generación en su planta Fab2 de Kitakami, en la prefectura de Iwate, Japón.
Kioxia también posicionó BiCS10 dentro de lo que denomina una estrategia de doble eje, impulsando dos líneas de productos simultáneamente: su tecnología de novena generación para un alto rendimiento con un menor coste de inversión, y su tecnología de décima generación, que se basa en el apilamiento avanzado de capas para una capacidad masiva y un mayor rendimiento. Para Sandisk, este hito también representa un primer paso hacia su consolidación como empresa independiente tras su separación de Western Digital en 2025, siendo BiCS10 uno de sus primeros anuncios de memoria NAND de próxima generación bajo la marca independiente Sandisk.
Disponibilidad
El BiCS10 1Tb TLC se encuentra en fase de muestreo, lo que significa que los dispositivos se enviarán a socios para su evaluación funcional antes de su disponibilidad generalizada, y las especificaciones de las muestras podrían diferir de las de la producción en masa. Sandisk no ha compartido un cronograma de producción en masa ni ha anunciado los primeros productos comerciales, mientras que Kioxia solo ha confirmado que la producción está prevista en su planta Fab2 de Kitakami. Dado que ambas compañías orientan el BiCS10 hacia el almacenamiento empresarial, de centros de datos y de IA, es muy probable que las primeras unidades en utilizarlo sean SSD empresariales y de hiperescala de alta capacidad Gen6.
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