StorageReview.com

SanDisk se asocia con Toshiba y crea una nueva memoria flash NAND de 19 nm

Usuario final

Tras el éxito de Intel y Micron con su nueva memoria NAND de 20 nm , SanDisk ha anunciado que comenzará la producción de memoria NAND MLC de 19 nm en la segunda mitad de este año, en colaboración con Toshiba. El nuevo chip, de 64 Gb y 2 bits por celda (x2), está diseñado para sistemas integrados compactos y almacenamiento extraíble.

Con un mercado previsto que incluye teléfonos móviles, reproductores multimedia, tabletas y similares, la memoria flash condensada ayudará a empaquetar mayores capacidades de almacenamiento en factores de forma más pequeños. Según SanDisk, esta nueva memoria es la más pequeña y económica del mercado. SanDisk también tiene la intención de agregar un producto de 3 bits por celda basado en el proceso de 19nm en la segunda mitad de este año. 

SanDisk probará su dispositivo X19 de 64nm y 2Gb este trimestre y espera comenzar la producción de alto volumen en la segunda mitad de 2011. 

Discutir esta historia

Interactuar con StorageReview

Boletín informativo | YouTube | Podcast iTunes / Spotify | Instagram | Twitter | TikTok | Canal RSS

Escritorio para consumidores StorageReview