Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC) anunció hoy su línea de productos de unidad de estado sólido (SSD) de matriz de rejilla esférica (BGA) de paquete único de próxima generación basada en el último TLC de 64 capas y 3 bits por celda de Toshiba (triple nivel celular) BiCS FLASH, la serie BG3. La nueva serie está diseñada para almacenamiento móvil con los beneficios de un mayor rendimiento en un espacio más pequeño en comparación con los dispositivos SATA tradicionales. Otro aspecto importante del uso móvil que aborda la serie BG3 es el uso de energía; la nueva tecnología tiene un diseño rentable sin DRAM para reducir los requisitos de energía.
El diseño sin DRAM se logra aprovechando la función Host Memory Buffer (HMB) en NVMe Revisión 1.2.1. Esto permite un mayor rendimiento sin el consumo de energía de la DRAM integrada. Esto también permite un SSD muy potente en un factor de forma mucho más pequeño, lo que los convierte en una posible alternativa al almacenamiento de arranque del servidor, lo que a su vez podría permitir una mayor capacidad de almacenamiento o conectividad en el servidor. El tamaño más pequeño también es ideal para portátiles ultrafinos, ya que la serie BG3 crea SSD de solo 1.3 mm de altura y consume menos energía en general.
La serie BG3 se ofrece en tres capacidades de 128 GB, 256 GB y 512 GB. La serie se ofrece en formato BGA de montaje en superficie (M.2 1620) o módulo extraíble (M.2 2230). Desde una perspectiva de rendimiento, la nueva serie utiliza PCI Express (PCIe) Gen3 x2 lane y arquitectura NVMe Revisión 1.2.1 para una velocidad citada de hasta 1520 MB/s de lectura secuencial (2.7 veces el ancho de banda máximo teórico de SATA 6 Gbit/s) y hasta Escritura secuencial de 840 MB/s (1.5 veces el ancho de banda máximo teórico de SATA 6 Gbit/s). La nueva serie también contará con un caché SLC para ayudar a acelerar las cargas de trabajo de tipo ráfaga. También estarán disponibles las opciones de unidad de autocifrado (SED) con TCG Opal versión 2.01.
Disponibilidad
La serie BG3 se está probando actualmente con clientes selectos. Toshiba hará una demostración de la tecnología en Flash Memory Summit 2017 en Santa Clara, CA, del 8 al 10 de agosto en el stand n.º 407.
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