Toshiba ha anunciado el desarrollo de una memoria flash de estructura de celdas apiladas tridimensionales de 48 capas llamada BiCS, un dispositivo de 2 gigabits (128 gigabytes) de 16 bits por celda. Principalmente adecuado para unidades de estado sólido, el BiCS se basa en un proceso de apilamiento de 48 capas, que mejora la confiabilidad de la resistencia de escritura/borrado al mismo tiempo que aumenta la velocidad de escritura. Los envíos de muestra de productos que utilizan la nueva tecnología de proceso comenzarán hoy.
Toshiba ha continuado poniendo énfasis en el desarrollo de una producción en masa optimizada para satisfacer un mayor crecimiento del mercado en 2016 y en el futuro. La empresa inventó la tecnología BiCS 3D a principios de la década de 2000, y Toshiba respalda de manera proactiva la migración a la memoria Flash 3D mediante el lanzamiento de una cartera de productos que se enfoca en aplicaciones de gran capacidad, incluidos los SSD. La tecnología 3D de Toshiba ofrece cuatro ventajas clave: la tecnología 3D utiliza menos energía, promueve una mejor resistencia, aumenta la eficiencia energética y ofrece una mayor densidad. Como resultado, esto hace que la tecnología sea ideal para una variedad de casos de uso de aplicaciones de alto rendimiento.
Toshiba también se está preparando para la producción en masa de su nuevo Fab2 en Yokkaichi Operations, su sitio de producción de memorias flash NAND. El año pasado, por esta época, la compañía anunció que reemplazaría su antigua planta de fabricación en Yokkaichi, Japón, para la transición a la tecnología 3D NAND. El nuevo Fab2 está actualmente en construcción y se completará en algún momento durante la primera mitad de 2016.
Micron e Intel también anunciaron hoy una nueva tecnología 3D NAND desarrollada conjuntamente.
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