Micron Technology e Intel anunciaron hoy la disponibilidad de su nueva tecnología 3D NAND. Desarrollada conjuntamente por ambas empresas, esta nueva tecnología de memoria flash se anuncia como la de mayor densidad del mundo. Las empresas afirman que podrán obtener una capacidad tres veces mayor que las tecnologías NAND de la competencia.
Flash se está adoptando o ya se usa en la mayoría de los campos, desde dispositivos móviles de consumo hasta implementaciones empresariales. El mayor problema al que se enfrenta actualmente la industria es que la NAND plana está alcanzando su límite de escalado práctico. Micron e Intel pretenden cambiar esto con su 3D NAND que apila capas de celdas de almacenamiento de datos verticalmente.
Intel y Micron optaron por utilizar una celda de puerta flotante, que se ha utilizado durante algún tiempo en la industria, en su 3D NAND. Esta es la primera vez que se usa una celda de puerta flotante con 3D NAND. Con el historial comprobado de celda de puerta flotante, Intel y Micron creen que pueden obtener un mejor rendimiento, confiabilidad y mayor calidad al usar esta tecnología. Esta nueva tecnología 3D NAND permite que las celdas flash se apilen verticalmente en 32 capas. Esto logrará troqueles MLC de 256 Gb y troqueles TLC de 384 Gb, los cuales aún caben en un paquete estándar. Este aumento en la capacidad permitirá que los SSD M.2 alcancen una capacidad de almacenamiento total de 3.5 TB o más y los SSD estándar de 2.5" tendrán una capacidad de almacenamiento total de 10 TB o más. Este aumento en la capacidad hará que flash sea mucho más atractivo para los centros de datos que necesitan adaptarse al almacenamiento dentro de una cierta densidad.
Las características clave incluyen:
- Grandes capacidades: tres veces la capacidad de la tecnología 3D existente, hasta 48 GB de NAND por matriz, lo que permite que tres cuartas partes de un terabyte quepan en un solo paquete del tamaño de un dedo.
- Costo por GB reducido: la NAND 3D de primera generación está diseñada para lograr mejores eficiencias de costos que la NAND planar.
- Rápido: alto ancho de banda de lectura/escritura, velocidades de E/S y rendimiento de lectura aleatoria.
- Verde: los nuevos modos de suspensión permiten el uso de bajo consumo de energía al cortar la energía al dado NAND inactivo (incluso cuando otros dados en el mismo paquete están activos), lo que reduce significativamente el consumo de energía en el modo de espera.
- Inteligente: las nuevas características innovadoras mejoran la latencia y aumentan la resistencia en comparación con las generaciones anteriores, y también facilitan la integración del sistema.
Disponibilidad
El MLC de 256 Gb se está probando con socios selectos hoy y el de 384 Gb se estará probando a finales de este trimestre. Se espera que la producción comience en la segunda mitad de 2015.
Toshiba también anunció hoy una nueva tecnología 3D NAND.
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