Toshiba Memory Corporation y Western Digital celebraron recientemente la apertura de Fab 6, su nueva planta de fabricación de semiconductores, y el Centro de I+D de memoria, ubicado en las operaciones de Yokkaichi en la prefectura de Mie, Japón.
La construcción de la planta de fabricación de memoria flash 3D dedicada comenzó en febrero de 2017 y desde entonces ha sido equipada con los últimos equipos de fabricación de última generación, deposición, grabado y otros procesos de producción clave. La producción de memoria flash 96D de 3 capas utilizando la nueva fábrica comenzó a principios de este mes. Se realizarán más inversiones para la expansión de la producción de acuerdo con las tendencias del mercado.
Yokkaichi: Fabuloso 6
Ubicado junto a Fab 6, el Memory R&D Center comenzó sus operaciones en marzo de este año y planea explorar y promover avances en el desarrollo de memoria flash 3D.
Yokkaichi: Centro de I+D de la memoria
Toshiba Memory y Western Digital planean permanecer a la vanguardia de la tecnología de memoria mediante el desarrollo activo de iniciativas para fortalecer la competitividad, avanzar en el desarrollo conjunto de la memoria flash 3D y realizar inversiones de capital de acuerdo con las tendencias del mercado.
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