Samsung ha annunciato che la sua tecnologia di processo FinFET a 5 nm è ora pronta per la fornitura di campioni ai clienti. Già nell'ottobre del 2018, l'azienda aveva avviato la produzione del processo LLP a 7 nm basato su EUV , il suo primo nodo di processo con tecnologia di litografia EUV. Con il processo FinFET a 5 nm, offre un'efficienza dell'area logica superiore fino al 25%, con un consumo energetico inferiore del 20% o prestazioni superiori del 10%. Samsung può inoltre riutilizzare la IP a 7 nm per il processo a 5 nm, consentendo ai clienti che passano a questa tecnologia di ridurre i costi di migrazione, disporre di un ecosistema di progettazione pre-verificato e abbreviare i tempi di sviluppo dei prodotti a 5 nm. La tecnologia a 5 nm utilizza la litografia EUV per la modellazione degli strati metallici e riduce il numero di strati di maschera, garantendo al contempo una maggiore fedeltà.
La collaborazione tra Samsung Foundry e i suoi partner Samsung Advanced Foundry Ecosystem (SAFE) consente una "robusta infrastruttura di progettazione" per i loro 5 nm, inclusi il kit di progettazione del processo (PDK), le metodologie di progettazione (DM), gli strumenti di automazione della progettazione elettronica (EDA) e IP. Samsung Foundry ha iniziato a offrire ai clienti un servizio Multi Project Wafer (MPW) da 5 nm.
Samsung sta anche lavorando con i suoi clienti su 6nm, un nodo di processo personalizzato basato su EUV, e ha ricevuto il tape-out del prodotto del suo primo chip da 6nm.
Attualmente, la produzione delle tecnologie di processo basate su EUV della fonderia Samsung avviene presso la linea S3 di Hwaseong, in Corea. Stanno pianificando un’espansione della sua capacità EUV verso una nuova linea EUV a Hwaseong, che dovrebbe essere completata durante la seconda metà del 2019 con un aumento della produzione l’anno successivo.
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