Samsung ha avviato la produzione in serie della sua memoria flash universale integrata (eUFS) 2.1 da 1 TB, progettata per l'utilizzo nelle applicazioni mobili di nuova generazione. Proprio come per la versione da 128 GB , si tratta di una novità assoluta nel settore. Questa nuova tecnologia consentirà inoltre agli utenti di smartphone di disporre di una capacità di archiviazione simile a quella di un notebook di fascia alta, eliminando la necessità di espandere la memoria con schede microSD.
Anche se il nuovo eUFS ha una capacità doppia rispetto alla versione precedente, utilizza le stesse dimensioni del contenitore (11.5 mm x 13.0 mm). Samsung è riuscita a raggiungere questo obiettivo combinando 16 strati impilati della sua memoria flash V-NAND da 512 Gb più avanzata oltre a un controller proprietario di nuova concezione.
Si dice che l'eUFS da 1 TB fornisca fino a 1 GB/s in velocità di trasferimento in lettura, che è circa il doppio della velocità di un tradizionale SSD consumer SATA. Samsung aggiunge che le prestazioni della velocità di lettura casuale sono migliorate fino al 38% rispetto alla precedente versione da 512 GB, dichiarando un massimo di 58,000 IOPS. Si prevede che le scritture casuali raggiungano 50,000 IOPS.
Disponibilità
Non esiste una data certa su quando il nuovo eUSF da 1 TB di Samsung sarà generalmente implementato nei dispositivi mobili; tuttavia, si prevede che espanderanno la produzione della V-NAND da 512 Gb nel loro stabilimento di Pyeongtaek durante la prima metà del 2019. Ci sarà senza dubbio una domanda molto elevata da parte delle aziende di telefonia mobile per il loro nuovo eUFS da 1 TB.
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