Samsung ha annunciato l'avvio della produzione in serie dei primi chip DRAM DDR4 da 8 Gbps a 10 nanometri e dei relativi moduli. Samsung afferma che questo processo migliora significativamente la produttività dei wafer e aumenta la velocità di trasferimento dati a 3,200 Mbps, entrambe superiori del 30% rispetto alle DRAM DDR4 da 8 Gbps a 20 nm. I nuovi moduli consumano inoltre dal 10 al 20% in meno di energia rispetto alle loro controparti basate sul processo a 20 nm. All'inizio di quest'anno, Samsung aveva già annunciato la produzione in serie di package DRAM HBM2 da 4 GB e di memorie embedded da 256 GB basate su UFS 2.0.
Samsung è riuscita a creare questa nuova struttura cellulare di classe 10 nm sfruttando una tecnologia di progettazione di circuiti proprietaria abbinata a una litografia a pattern quadruplo. Sebbene il pattern quadruplo consentisse l'utilizzo di apparecchiature fotolitografiche esistenti, è stata la base tecnologica interna di Samsung a consentire lo sviluppo della DRAM di prossima generazione di classe 10 nm.
Inoltre, la raffinata tecnologia di deposizione dello strato dielettrico ha facilitato ulteriori miglioramenti delle prestazioni nella nuova DRAM di classe 10 nm. Samsung aggiunge che i suoi ingegneri hanno applicato strati dielettrici ultrasottili con “uniformità senza precedenti” a uno spessore di appena un angstrom a una cifra sui condensatori delle celle. Ciò ha prodotto la capacità necessaria per prestazioni più elevate della cella.
Samsung prevede di introdurre una soluzione DRAM mobile di classe 10 nm ad alta densità e velocità, il cui rilascio è previsto entro la fine dell'anno. L'azienda prevede inoltre di estendere la propria gamma di DRAM da 20 nm con il nuovo portafoglio di DRAM di classe 10 nm nel corso del 2016.
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