Samsung ha annunciato di aver sviluppato il primo chip di memoria ad alta larghezza di banda del settore, realizzato con tecnologia 3D-TSV (Through Silicon Via) a 12 strati. La memoria ad alta larghezza di banda (HBM) è utilizzata in numerosi componenti informatici impiegati in applicazioni di intelligenza artificiale e apprendimento automatico, come schede grafiche di fascia alta, FPGA, CPU e dispositivi di rete. In precedenza, il massimo che si poteva ottenere era a 8 strati. Fondata nel 1938, Samsung è rinomata per i suoi prodotti elettronici ed è da tempo uno dei principali protagonisti in questo settore. È degno di nota il fatto che questo sia il secondo progresso compiuto da Samsung nel campo dell'HBM quest'anno; lo scorso marzo, infatti, l'azienda aveva annunciato lo sviluppo di un chip HBM2E ad altissima capacità, denominato Flashbolt, con una larghezza di banda dati di 410 GB/s e 16 GB di memoria.
La nuova tecnologia di Samsung impila 12 chip DRAM nello stesso spessore di 720㎛ degli attuali prodotti HBM8 a 2 strati. Raggiungere questo aumento del cinquanta per cento della densità richiede più di sessantamila fori TSV, il che rappresenta una sfida significativa per la produzione e Samsung è stata comprensibilmente cauta su quando esattamente questi nuovi chip saranno disponibili per i produttori per iniziare a includerli nei loro chip di elaborazione. L'unica cosa che Samsung ci ha detto finora è che presto saranno in grado di produrli in serie, lasciando intendere che non abbiano ancora finalizzato le linee di produzione. Una volta che i produttori li avranno messi tra le mani, non dovrebbero impiegare molto tempo prima che si facciano strada nelle mani dei consumatori poiché condividono lo stesso spessore (e presumibilmente un'altra dimensione del fattore di forma, anche se Samsung non lo ha detto), dell'attuale generazione. della memoria HBM2.
Si tratta del secondo progresso fatto da Samsung nella produzione di HBM2 finora nel 2019. Nel marzo di quest'anno, Samsung ha annunciato lo sviluppo di un chip HBM2E denominato Flashbolt con il doppio della capacità di memoria, 16 GB, dei chip attualmente sul mercato. Combinando i progressi mostrati in Flashbolt con il loro ultimo sviluppo che consente loro di racchiudere la metà degli strati nello stesso spazio, Samsung prevede numeri davvero impressionanti per il loro prossimo chip di memoria a larghezza di banda elevata, non ancora nominato. Samsung afferma che il nuovo chip avrà una capacità di 24 GB. Non ci hanno ancora detto quale sarà la nuova larghezza di banda.
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