Samsung ha annunciato l’espansione della propria capacità di produzione di flash NAND a Pyeongtaek, in Corea, per soddisfare le richieste a medio e lungo termine, in particolare per le tecnologie emergenti del mercato. La costruzione della struttura è già a buon punto, con l’inizio della produzione in serie della memoria V-NAND prevista per la seconda metà del 2021. Samsung indica che continuerà a fare nuovi investimenti per “cogliere le future opportunità di mercato”.
Il Pyeongtaek Campus di Samsung è stato costruito nel 2015 ed è considerato un “hub per le tecnologie di memoria di prossima generazione”, poiché dispone di due delle linee di produzione su larga scala al mondo. In quanto tale, l’azienda è solitamente in prima fila quando si tratta di innovazione nella tecnologia NAND. Ad esempio, è stata la prima azienda a farlo produrre in serie V-NAND di sesta generazione (strato 1xx). già nel luglio dello scorso anno.
Ecco una storia della produzione di massa V-NAND di Samsung:
| Data | NAND-V |
| Luglio 2013 | 1stV-NAND MLC da 24 Gb di prima generazione (128 strati). |
| agosto 2013 | 1stSSD MLC V-NAND 128GB di prima generazione da 960 Gb |
| agosto 2014 | 2ndV-NAND da 32 Gb a 128 bit di prima generazione (3 layer). |
| Settembre 2014 | 2ndSSD V-NAND di ultima generazione |
| agosto 2015 | 3rdV-NAND da 48 Gb a 256 bit di prima generazione (3 layer). |
| Settembre 2015 | 3rdSSD V-NAND di prima generazione "850 EVO", "950 PRO" |
| Dicembre 2016 | 4thV-NAND da 64 Gb a 256 bit di prima generazione (3 layer). |
| gennaio 2017 | 4thSSD V-NAND di ultima generazione |
| gennaio 2018 | 4thSSD SAS V-NAND da 512 TB di ultima generazione da 30.72 Gb |
| che si terrà nel maggio 2018 | 5thV-NAND da 9 Gb a 256 bit di prima generazione (3 livelli). |
| Giugno 2018 | 5thSSD V-NAND di ultima generazione |
| Giugno 2019 | 6thV-NAND da 1 Gb a 256 bit di prima generazione (livello 3xx). |
| Luglio 2019 | 6thSSD V-NAND di ultima generazione |
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