SK hynix ha annunciato di aver spedito campioni della sua memoria HBM4E (High Bandwidth Memory) a 12 stack ad alcuni importanti clienti, segnando così un ulteriore passo avanti nella roadmap dell'azienda per le memorie AI. L'azienda ha dichiarato che i campioni sono stati consegnati nei tempi previsti e che collaborerà a stretto contatto con i partner per avviare tempestivamente la produzione di massa.
HBM4E si basa sul portfolio HBM dell'azienda, con miglioramenti sia in termini di larghezza di banda che di efficienza energetica, pensati per i carichi di lavoro di addestramento e inferenza dell'IA. SK hynix ha affermato che la nuova memoria offre fino a 16 Gbps per pin, migliorando al contempo l'efficienza energetica di oltre il 20% rispetto ai prodotti di generazione precedente.
L'azienda ha inoltre introdotto una nuova interfaccia e ottimizzazioni di progettazione volte a ridurre la latenza del trasferimento dati e a migliorare la stabilità in condizioni operative ad alta larghezza di banda. Questi miglioramenti sono pensati per supportare i data center per l'intelligenza artificiale e le piattaforme di calcolo su larga scala che richiedono una velocità di trasmissione della memoria sempre maggiore.
Il package HBM4E a 12 strati raggiunge una capacità di 48 GB grazie alla tecnologia di packaging avanzata MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill) di SK hynix. MR-MUF inietta un materiale di stampaggio liquido tra i chip impilati per migliorare l'integrità strutturale e proteggere i circuiti interni. Secondo l'azienda, il design aggiornato migliora anche la resistenza al calore del 17% rispetto a HBM4, contribuendo a mantenere l'affidabilità nei sistemi di intelligenza artificiale ad alte prestazioni.
SK hynix ha dichiarato che il nuovo prodotto sfrutta l'esperienza di produzione e confezionamento acquisita con le generazioni precedenti, tra cui HBM3, HBM3E e HBM4. L'azienda prevede che HBM4E soddisferà i crescenti requisiti di larghezza di banda della memoria man mano che l'infrastruttura di intelligenza artificiale continua a espandersi.
Ahn Hyun, Presidente e Direttore dello Sviluppo di SK hynix, ha affermato che l'azienda ha gettato le basi per rafforzare la propria leadership nell'IA con HBM4E, basandosi sulle proprie capacità tecnologiche e sull'esperienza produttiva. Ha aggiunto che SK hynix collaborerà a stretto contatto con i partner per offrire il valore richiesto dal mercato, consolidando al contempo la propria leadership tecnologica come produttore di memorie per l'IA a 360 gradi.
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