Samsung gebruikte de Future of Memory and Storage (FMS) 2026-conferentie om zijn nieuwste geheugen- en opslagtechnologieën voor kunstmatige intelligentie en high-performance computing te presenteren. Het bedrijf belichtte ontwikkelingen op het gebied van DRAM, NAND, bedrijfsopslag, geavanceerde verpakkingstechnologie en halfgeleiderproductie.
De openingspresentatie van Samsung, getiteld "De golf van AI-revolutie aanjagen: 3D-innovaties in geheugen- en opslagarchitectuur", was gericht op het gebruik van driedimensionale geheugenstructuren om de systeemprestaties, energie-efficiëntie en thermisch beheer te verbeteren. Jin-Yub Lee, executive vice president en hoofd van Flash Product & Technology, en Kyungryun Kim, vice president en projectleider van het DRAM Design Team, bespraken de roadmap van het bedrijf voor toekomstige geheugenarchitecturen.
Het bedrijf toonde zo'n 30 technologieën in een stand die was ontworpen om op een AI-cloudserver te lijken. Belangrijke demonstraties omvatten conceptmodellen voor zHBM en zNAND-O, V10 Bonding V-NAND, HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM en enterprise SSD-platformen zoals de PM1763 en BM1773.
zHBM integreert geheugen direct boven AI-acceleratoren.
Samsung presenteerde zHBM als een toekomstige high-bandwidth geheugenarchitectuur waarbij HBM verticaal direct boven een AI-accelerator wordt gestapeld. Dit verschilt van conventionele ontwerpen waarbij HBM-pakketten naast de processor worden geplaatst.
Door het geheugen dichter bij de accelerator te plaatsen, wordt de afstand die data moet afleggen verkleind. Samsung gaf aan dat deze aanpak gericht is op het vergroten van de bandbreedte, het verlagen van het energieverbruik en het ondersteunen van de dataverplaatsingsbehoeften van grootschalige AI-training en -inferentie.
Volgens het bedrijf kan een interfacesysteem met zHBM ongeveer acht keer de prestaties van HBM5 leveren. De architectuur zal naar verwachting meer dan tien keer de geheugendichtheid van HBM5 bieden, drie keer energiezuiniger zijn en de thermische weerstand met meer dan 50% verminderen.
zHBM is ontworpen om klantspecifieke configuraties te ondersteunen. Aangepaste intellectuele eigendom kan worden geïntegreerd in de tussenlaag tussen de geheugenstack en de AI-accelerator, waardoor systeemontwerpers de capaciteit en acceleratorfunctionaliteit kunnen afstemmen op specifieke workloads.
zNAND-O is gericht op AI-workloads aan de rand van het netwerk.
Samsung introduceerde zNAND-O, een hoogwaardig NAND-concept gebaseerd op de V-NAND-technologie van het bedrijf. De architectuur is verkrijgbaar in configuraties met vier en acht lagen en is ontworpen om de ruimte-efficiëntie, I/O-prestaties en latentie te verbeteren.
Het bedrijf positioneerde zNAND-O voor edge AI-systemen die grote datasets met minimale vertraging verwerken. Door de prestaties van de lokale opslag te verbeteren, kon de architectuur realtime-applicaties ondersteunen waarbij data niet altijd naar een centraal datacenter kan worden overgebracht voor verwerking.
V10 BV-NAND gaat verder dan 400 lagen
Samsung introduceerde V10 BV-NAND, een Bonding V-NAND-architectuur die gebruikmaakt van waferbondingtechnologie om geheugencellen te stapelen. Dit is een primeur in de branche. De architectuur bestaat uit meer dan 400 lagen, het hoogste aantal dat Samsung tot nu toe voor zijn V-NAND-lijn heeft bekendgemaakt.
Samsung gaf aan dat de V10 BV-NAND-architectuur de geheugendichtheid met ongeveer 58% verhoogt ten opzichte van de V9. Naast de verhoogde capaciteit is de architectuur gericht op het verbeteren van de lees-, schrijf- en I/O-prestaties en het verlagen van het energieverbruik.
De aankondiging komt 13 jaar nadat Samsung op de Flash Memory Summit van 2013 de eerste V-NAND-technologie in de branche introduceerde. Het bedrijf richt zich met V10 BV-NAND op opslag met hoge capaciteit en hoge prestaties voor toekomstige AI-systemen en andere data-intensieve toepassingen.
HBM4E, HBM5 en LPDDR5X-PIM breiden het AI-geheugenportfolio uit.
Samsung presenteerde HBM4E-samples en een HBM5-model als onderdeel van zijn roadmap voor de volgende generatie AI-acceleratoren. Het bedrijf startte in februari met de eerste massaproductie van HBM4 in de sector, gebaseerd op zijn 1c DRAM- en 4 nm-basischiptechnologieën, en werd in mei de eerste die HBM4E-samples naar klanten wereldwijd verstuurde.
Het bedrijf demonstreerde ook LPDDR5X-PIM, dat het omschrijft als 's werelds eerste LPDDR-geheugen met processing-in-memory-technologie. Dit ontwerp voert bepaalde gegevensverwerkingsbewerkingen uit binnen het geheugen zelf, waardoor de gegevensoverdracht tussen geheugen en processor wordt verminderd. Dit kan de efficiëntie verbeteren en het energieverbruik verlagen voor geschikte workloads.
De demonstraties van Samsungs opslagoplossingen voor bedrijven omvatten de PCIe Gen6 PM1763, die in juli in massaproductie is gegaan , en de BM1773. Beide producten zijn bedoeld om te voldoen aan de groeiende opslagbehoeften van AI-datacenters. Deze producten vullen de geheugenroadmap van het bedrijf aan door te voorzien in de hoge capaciteits- en prestatie-eisen die gepaard gaan met AI-trainingsdata, modelrepositories en inferentieworkloads.
Samsung stimuleert de ontwikkeling van een geïntegreerde AI-infrastructuur.
Samsung positioneerde zich als de enige geïntegreerde fabrikant van apparaten met mogelijkheden op het gebied van geheugen, chipfabricage en geavanceerde verpakkingstechnologie, en presenteerde deze combinatie als een totaaloplossing voor de ontwikkeling van AI-halfgeleiders. Het geïntegreerde model omvat productontwerp, halfgeleiderproductie, verpakking en massaproductie.
De aanpak is erop gericht het aantal ontwikkelingsfasen tussen ontwerp en productie te verminderen en tegelijkertijd een nauwere coördinatie tussen geheugen-, verwerkings- en verpakkingstechnologieën mogelijk te maken. Volgens Samsung kan dit klanten helpen de ontwikkelingscycli te verkorten en de prestaties en energie-efficiëntie van gespecialiseerde AI-systemen te optimaliseren.
Amazon