Samsung ogłosił, że jego proces technologiczny FinFET 5 nm jest już gotowy do udostępnienia klientom próbek. W październiku 2018 roku firma rozpoczęła produkcję 7-nm procesu LLP opartego na technologii EUV , swojego pierwszego węzła procesowego z technologią litografii EUV. Dzięki procesowi FinFET 5 nm, wydajność w obszarze logicznym wzrasta nawet o 25%, a zużycie energii spada o 20%, a wydajność wzrasta o 10%. Samsung może również ponownie wykorzystać technologię 7 nm w procesie 5 nm, co pozwala klientom na przejście na technologię 5 nm, co pozwala im obniżyć koszty migracji, korzystać z wstępnie zweryfikowanego ekosystemu projektowego i skrócić czas rozwoju produktów 5 nm. Technologia 5 nm wykorzystuje litografię EUV do wzorowania warstw metalowych, co redukuje liczbę warstw maski, zapewniając jednocześnie lepszą wierność odwzorowania.
Współpraca między Samsung Foundry a partnerami Samsung Advanced Foundry Ecosystem (SAFE) zapewnia „solidną infrastrukturę projektową” dla technologii 5 nm, obejmującą zestaw do projektowania procesów (PDK), metodologie projektowania (DM), narzędzia automatyzacji projektowania elektronicznego (EDA) oraz rozwiązania IP. Samsung Foundry rozpoczęło oferowanie klientom usługi Multi Project Wafer (MPW) w technologii 5 nm.
Samsung współpracuje również ze swoimi klientami nad procesem technologicznym 6 nm, czyli dostosowanym węzłem bazującym na technologii EUV, i zatwierdził już taśmę produkcyjną swojego pierwszego układu scalonego 6 nm.
Obecnie produkcja technologii procesowych opartych na technologii EUV w odlewni Samsung odbywa się na linii S3 w Hwaseong w Korei. Planowana jest rozbudowa zakładu o nową linię EUV w Hwaseong, której ukończenie planowane jest na drugą połowę 2019 roku, a uruchomienie produkcji w roku następnym.
Zapisz się do newslettera StorageReview
Amazon