Samsung jako pierwszy ogłosił, że z powodzeniem opracował klasę 10-nanometrów (węzeł procesowy o długości od 10 do 20 nanometrów). To ogłoszenie wyprzedza nie tylko konkurencję Samsunga, ale także finalizację specyfikacji dla DDR5 i LPDDR5. JEDEC, organizacja normalizacyjna dla branży mikroelektroniki, nadal prognozuje wydanie pełnych standardów DDR5 pod koniec tego roku. Samsung również ogłosił swoje chipy LPDDR4 przed powiązanymi standardami w 2014 roku. Od tego czasu, jak informuje nas firma, przygotowuje grunt pod przejście na standard LPDDR5 do wykorzystania w nadchodzących aplikacjach mobilnych opartych na technologii 5G i sztucznej inteligencji (AI).
Nowo opracowana pamięć LPDDR5 8 Gb to najnowszy dodatek do gamy pamięci DRAM klasy premium firmy Samsung, obejmującej 16 Gb pamięci GDDR6 DRAM klasy 10 nm (produkowanej masowo od grudnia 2017 r.) oraz 16 Gb pamięci DDR5 DRAM (opracowanej w lutym). Pamięć LPDDR5 8 Gb oferuje prędkość transmisji danych do 6,400 megabitów na sekundę (Mb/s), czyli 1.5 raza szybciej niż mobilne układy DRAM stosowane w obecnych flagowych urządzeniach mobilnych (LPDDR4X, 4266 Mb/s). Dzięki zwiększonej prędkości transferu, nowa pamięć LPDDR5 może przesłać 51.2 gigabajta (GB) danych, czyli około 14 plików wideo w jakości Full HD (po 3.7 GB każdy) w ciągu sekundy (przy założeniu 64-bitowej magistrali pamięci, typowej dla platform mobilnych klasy high-end).
Samsung planuje oferować nowe układy LPDDR5 w dwóch szerokościach pasma: 6,400 Mb/s przy napięciu roboczym 1.1 V i 5,500 Mb/s przy napięciu 1.05 V. Poprzednia generacja LPDDR4x korzystała z podobnego napięcia roboczego 1.1 V, ale zapewniała przepustowość jedynie 4,260 Mb/s. Nowe układy zapewnią więc większą wydajność bez większego zużycia energii, a w przypadku wersji o niższej wydajności nawet nieco mniej. Samsung twierdzi, że ten wzrost wydajności jest możliwy dzięki kilku udoskonaleniom architektonicznym. Podwojenie liczby „banków” pamięci – podjednostek w komórce DRAM – z ośmiu do szesnastu, pozwala nowej pamięci osiągnąć znacznie wyższą prędkość bez zwiększonego zużycia energii.
Oprócz udoskonaleń architektonicznych mających na celu ograniczenie szczytowego poboru mocy, Samsung wprowadził również szereg innowacji, które zmniejszają średnie zużycie energii. Układ LPDDR5 klasy 10 nm został zaprojektowany tak, aby obniżać napięcie zgodnie z prędkością operacyjną odpowiedniego procesora aplikacji w trybie aktywnym. Dodatkowo, układ został skonfigurowany tak, aby unikać nadpisywania komórek wartościami „0”, co pozwala uniknąć marnowania energii na powtarzanie istniejącej wartości. Co najbardziej imponujące, nowy układ LPDDR5 będzie oferował „tryb głębokiego uśpienia”, który zmniejsza pobór mocy o około połowę w porównaniu z „trybem bezczynności” obecnej pamięci DRAM LPDDR4X. Dzięki tym energooszczędnym funkcjom Samsung spodziewa się redukcji zużycia energii nawet o 30 procent, maksymalizując wydajność urządzeń mobilnych i wydłużając czas pracy baterii smartfonów.
Samsung nie rozpoczął jeszcze produkcji masowej. Możliwe, że firma czeka na sfinalizowanie specyfikacji. Wybrała już fabrykę w Pyeongtaek w Korei jako miejsce produkcji, gdy tylko rozpocznie masową produkcję. Biorąc pod uwagę nacisk Samsunga w komunikacie prasowym na aplikacje mobilne, wydaje się prawdopodobne, że początkowa produkcja będzie skierowana na smartfony i inne urządzenia mobilne.
Amazon