Samsung ogłosił rozpoczęcie masowej produkcji pierwszych w branży 10-nanometrowych układów pamięci DRAM DDR4 o pojemności 8 GB oraz modułów z nich pochodzących. Samsung deklaruje, że znacząco zwiększa wydajność wafli krzemowych i zwiększa prędkość transferu danych do 3,200 Mb/s, co stanowi o 30% większą prędkość niż w przypadku 20-nanometrowych 8-gigabitowych pamięci DRAM DDR4. Nowe moduły zużywają również od 10 do 20 procent mniej energii w porównaniu z odpowiednikami wykonanymi w procesie 20 nm. Na początku tego roku Samsung ogłosił masową produkcję pamięci DRAM HBM2 o pojemności 4 GB oraz pamięci wbudowanej o pojemności 256 GB opartej na architekturze UFS 2.0.
Samsung był w stanie stworzyć tę nową strukturę ogniwa klasy 10 nm, wykorzystując opatentowaną technologię projektowania obwodów połączoną z litografią poczwórnego wzorowania. Chociaż poczwórne wzorowanie pozwalało na wykorzystanie istniejącego sprzętu fotolitograficznego, to właśnie wewnętrzne zaplecze technologiczne Samsunga umożliwiło opracowanie pamięci DRAM nowej generacji klasy 10 nm.
Co więcej, udoskonalona technologia osadzania warstw dielektrycznych umożliwiła dodatkową poprawę wydajności w nowej pamięci DRAM klasy 10 nm. Samsung dodaje, że jego inżynierowie zastosowali ultracienkie warstwy dielektryczne o „niespotykanej jednorodności” i grubości zaledwie kilku angstremów na kondensatorach ogniw. Dzięki temu uzyskano pojemność niezbędną do zwiększenia wydajności ogniw.
Samsung planuje wprowadzenie mobilnego rozwiązania DRAM klasy 10 nm o wysokiej gęstości i szybkości, którego premiera planowana jest na koniec tego roku. Firma spodziewa się również poszerzenia swojej oferty pamięci DRAM 20 nm o nowe portfolio pamięci DRAM klasy 10 nm w 2016 roku.
Amazon