Samsung ha anunciado la expansión de su capacidad de producción de flash NAND en Pyeongtaek, Corea, para abordar las demandas a mediano y largo plazo, específicamente para las tecnologías emergentes del mercado. La construcción ya está en marcha en las instalaciones, con la producción en masa de su memoria V-NAND programada para comenzar en algún momento de la segunda mitad de 2021. Samsung indica que continuará realizando nuevas inversiones para "aprovechar futuras oportunidades de mercado".
El campus de Pyeongtaek de Samsung se construyó en 2015 y se considera un "centro de tecnologías de memoria de próxima generación", ya que cuenta con dos de las líneas de producción a mayor escala del mundo. Como tal, la empresa suele ser la favorita cuando se trata de innovación en tecnología NAND. Por ejemplo, fue la primera empresa en producir en masa V-NAND de sexta generación (capa 1xx) allá por julio del año pasado.
Aquí hay una historia de la producción en masa de V-NAND de Samsung:
| Fecha | V-NAND |
| 2013 de julio | 1st-generación (24 capas) 128 Gb MLC V-NAND |
| Agosto de 2013 | 1stSSD MLC V-NAND de 128 GB de generación de 960 Gb |
| Agosto de 2014 | 2nd-generación (32 capas) 128 Gb V-NAND de 3 bits |
| Septiembre 2014 | 2ndSSD V-NAND de última generación |
| Agosto de 2015 | 3rd-generación (48 capas) 256 Gb V-NAND de 3 bits |
| Septiembre 2015 | 3rdSSD V-NAND de generación '850 EVO', '950 PRO' |
| Noviembre de 2016 | 4th-generación (64 capas) 256 Gb V-NAND de 3 bits |
| Diciembre de 2017 | 4thSSD V-NAND de última generación |
| Diciembre de 2018 | 4th-generación de SSD SAS V-NAND de 512 Gb y 30.72 TB |
| 2018 de mayo | 5th-generación (capa 9x) 256 Gb V-NAND de 3 bits |
| de junio 2018 | 5thSSD V-NAND de última generación |
| de junio 2019 | 6th-generación (capa 1xx) 256 Gb V-NAND de 3 bits |
| 2019 de julio | 6thSSD V-NAND de última generación |
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