Samsung anunció que ha comenzado la producción en masa del PM853T, el primer SSD basado en NAND (TLC) de tres bits de alto rendimiento de la industria para servidores y centros de datos. Se dice que el PM853T de Samsung ofrece un aumento del 30 por ciento en la eficiencia de fabricación en comparación con los SSD que utilizan componentes flash NAND de 2 bits. El PM853T permite que los centros de datos administren mejor las cargas de trabajo relacionadas con las redes sociales, la navegación web y el correo electrónico, y también mejora la eficiencia operativa. Se espera que las instalaciones de las SSD MLC NAND de 3 bits comiencen a finales de este trimestre.
El SSD PM853T está disponible en capacidades de 240 GB, 480 GB y 960 GB y proporciona altos niveles de rendimiento de IOPS aleatorias y calidad de servicio, los cuales son esenciales para las aplicaciones de centros de datos y servidores en la nube. Como resultado, Samsung espera que la adopción de SSD de 3 bits en los centros de datos reemplace el mercado de SSD de 2 bits a un ritmo acelerado. El PM853T también permitirá a los administradores de TI optimizar sus actualizaciones de SSD a niveles de inversión similares a los de los SSD de consumo.
Los componentes flash NAND de 10 bits de clase 3nm de Samsung, así como la tecnología de controlador avanzada, permiten que la nueva unidad cuente con impresionantes velocidades de lectura y escritura secuencial de 530 MB/s y 420 MB/s respectivamente, con datos de lectura aleatoria IOPS a 90,000 14,000 y lectura aleatoria sostenida. escribe a XNUMX IOPS.
Samsung afirma que se espera que el mercado mundial de SSD crezca aproximadamente un 30 % en los EE. 9.4.
ACTUALIZACIÓN 6/2/2014 – Se ha publicado la reseña del SSD Samsung 845DC EVO (la misma unidad que la PM853T en un paquete para el canal minorista en lugar de un paquete OEM).
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