Análisis del SSD Micron 6600 ION de 245 TB: Un cuarto de petabyte por bahía de unidad

by Brian Beeler on 2 de junio de 2026

Empresa ◇ SSD

La unidad SSD NVMe 6600 ION de Micron ha alcanzado los 245.76 TB, llevando la línea PCIe Gen5 QLC de la compañía, centrada en la capacidad, al territorio de los cuartos de petabyte. Micron comenzó a distribuir el modelo de 245 TB el 5 de mayo de 2026 y lo está posicionando como la SSD de mayor capacidad disponible comercialmente. La unidad se sitúa en la cima de la familia 6600 ION, utiliza la memoria NAND G9 QLC de novena generación de Micron y está disponible en esta capacidad en formatos E3.L de 9.5 mm y U.2 de 15 mm. Los modelos de 30.72 TB, 61.44 TB y 122.88 TB también admiten E3.S.

La unidad G9 QLC de Micron utiliza una arquitectura de seis planos y alcanza una velocidad de E/S NAND de 3.6 GB/s, lo que, según la compañía, la convierte en la unidad QLC más rápida disponible actualmente en unidades SSD para centros de datos. Esto le proporciona a Micron una plataforma útil para una unidad claramente orientada al almacenamiento de objetos a hiperescala, lagos de datos de IA, análisis, repositorios de contenido y otros entornos donde la capacidad por rack y los vatios por terabyte son más importantes que la intensidad de escritura de bloques pequeños.

Según las suposiciones de Micron para racks, una configuración E3.L de 720 unidades alcanza una capacidad bruta de 176.9 PB con unidades 6600 ION de 245.76 TB, en comparación con 31.7 PB para el mismo número de bahías con discos duros de 44 TB. La densidad de potencia sigue la misma tendencia. Con la potencia máxima de 30 W de Micron, el disco duro 6600 ION de 245 TB ofrece aproximadamente 8.2 TB por vatio. El disco duro que Micron utiliza para la comparación es de 44 TB a 10 W, o alrededor de 4.4 TB por vatio. Esta cifra para el disco duro de 10 W es una estimación, ya que Seagate no ha divulgado públicamente las especificaciones completas de potencia para sus unidades Mozaic 4+ de 44 TB, pero es coherente con el rango de potencia general de los discos duros empresariales de alta capacidad actuales. Desde entonces, lo hemos medido nosotros mismos: nuestro informe de seguimiento sustituye ocho discos duros de 30 TB por un 6600 ION en el mismo servidor y calcula un ahorro de 55 W por sistema.

Esta comparación es relevante porque el panorama general de los centros de datos está cambiando. La AIE estima que el consumo mundial de electricidad de los centros de datos será de aproximadamente 415 TWh en 2024 y prevé que se duplicará con creces hasta alcanzar los 945 TWh en 2030, siendo la IA el principal motor de este aumento. En Estados Unidos, se prevé que los centros de datos representen casi la mitad del crecimiento de la demanda de electricidad hasta 2030. Para los grandes operadores, el acceso a la red, el espacio físico, la capacidad de refrigeración y los vatios por terabyte ya no son detalles de planificación secundarios; son limitaciones que determinan lo que realmente se puede implementar.

Hay ventajas y desventajas, y es importante considerarlas antes de analizar los datos de las pruebas. Una SSD QLC de 245 TB está diseñada para la densidad y el acceso intensivo a lecturas, no para reemplazar todas las cargas de trabajo TLC de alta escritura. La 6600 ION de 245.76 TB tiene una velocidad nominal de hasta 13.7 GB/s de lectura secuencial y 1.78 millones de IOPS de lectura aleatoria, lo que la sitúa cerca de la cima del campo QLC, al menos en teoría. Las escrituras son más limitadas, con una velocidad nominal de escritura secuencial de 3.0 GB/s y de escritura aleatoria de 42 000 IOPS para transferencias de 4K y 16K. El modelo de mayor capacidad también utiliza una unidad de indirección de 16K en lugar de la IU de 4K utilizada en la versión de 30.72 TB, lo cual es importante para cargas de trabajo que emiten escrituras aleatorias inferiores a 16K. Eso también se refleja en la resistencia, con un RDWPD de 4K que baja a 0.075 mientras que el RDWPD de 16K se mantiene en 0.3.

En cuanto a las características empresariales, el 6600 ION cumple con las expectativas. La unidad admite OCP 2.6, NVMe 2.0d, NVMe-MI 1.2d, SPDM 1.2, verificación de firmware CNSA 2.0 con actualizaciones de doble firma y opciones SED. Cumple con TAA y cuenta con certificación FIPS 140-3 L2. Micron también especifica que la unidad tiene un tiempo medio entre fallos (MTTF) de 2.5 millones de horas a 50 °C según OCP 2.5 REL-1, lo cual es importante dado el papel que se espera que desempeñen estas unidades en infraestructuras de almacenamiento densas y siempre activas.

Especificaciones del Micron 6600 ION de 245 TB

Especificación	Micron 6600 ION 245.76 TB
Descripción general de la plataforma
CAPACIDAD	245.76TB
Factores de forma	U.2 (15 mm) E3.L
Fácil de usar	PCIe Gen5 x4 NVMe (v2.0b)
NAND	Micron G9 QLC NAND
Rendimiento
Lectura secuencial	13,700 MB / s
Escritura secuencial	3,000 MB / s
Lectura aleatoria	1,780,000 IOPS
Escritura aleatoria (4K)	42,000 IOPS
Escritura aleatoria (16K)	42,000 IOPS
Leer latencia	100 µs (QD1, típico)
Escribir latencia	20 µs (QD1, típico)
Potencia y resistencia
Consumo máximo de energía	≤30W
Idle Power	≤5W
Raid	1.0 SDWPD (escritura secuencial de 128 KB) 0.3 RDWPD (escritura aleatoria de 16 KB) 0.075 RDWPD (escritura aleatoria de 4 KB)
MTTF	2.5 millones de horas de dispositivo
UBER	<1 sector por 10¹⁷ lectura de bits
Funciones y seguridad
Cumplimiento	OCP 2.6 NVMe 2.0d NVMe-MI 1.2d compatible con TAA Certificable según FIPS 140-3 Nivel 2
Características de seguridad	CNSA 2.0 SPDM 1.2 Micron SEE Opciones SED
Características adicionales	SGL SRIS Inversiones de carriles PCIe

Rendimiento del Micron 6600 ION de 245 TB

Plataforma de pruebas de conducción

Utilizamos un Dell PowerEdge R760 con Ubuntu 22.04.2 LTS como plataforma de pruebas para todas las cargas de trabajo de esta reseña. Equipado con un cable Serial Cables Gen5 JBOF , ofrece amplia compatibilidad con unidades SSD U.2, E1.S, E3.S y M.2. La configuración de nuestro sistema se detalla a continuación:

2 procesadores Intel Xeon Gold 6430 (32 núcleos, 2.1 GHz)
16 x 64GB DDR5-4400
Unidad de estado sólido Dell BOSS de 480 GB
Cables seriales Gen5 JBOF
Nvidia L4

Comparación de unidades

Punto de referencia de rendimiento de FIO

Para medir el rendimiento de almacenamiento de cada SSD según las métricas estándar de la industria, utilizamos FIO. Antes de esta revisión, cada unidad se somete al mismo proceso de prueba, que incluye un paso de preacondicionamiento con dos cargas completas de la unidad con una carga de trabajo de escritura secuencial, seguido de una medición del rendimiento en estado estable. Con la Micron 6600 ION alcanzando casi 1/4 de petabyte, utilizamos el proceso de preacondicionamiento sprandom para las cargas de trabajo aleatorias en esta SSD. Esto se hizo para acelerar el proceso de preacondicionamiento, que de otro modo habría tardado días o semanas por cada carga de la unidad. A medida que cambia el tipo de carga de trabajo que se está midiendo, ejecutamos otra carga de preacondicionamiento con ese nuevo tamaño de transferencia.

En esta sección nos centraremos en los siguientes puntos de referencia de FIO:

128K secuencial
64K aleatorio
16K aleatorio
4K aleatorio

Escritura secuencial de 128 K (Profundidad de E/S 16 / Número de trabajos 1)

Para la escritura secuencial de 128K, el Micron 6600 ION ofreció 2,838.0 MB/s. Si bien esto lo ubicó por detrás del Micron 6550 ION (10 456,4 MB/s) y del DapuStor R6060 (3,920.6 MB/s), se mantuvo competitivo con el resto del grupo de comparación. El Solidigm P5336 de 122.88 TB alcanzó los 3,152.5 MB/s, mientras que el DapuStor J5060 y el Solidigm P5336 de 61.44 TB registraron 2,883.1 MB/s y 2,503.5 MB/s, respectivamente. El resultado pone de manifiesto el diseño del 6600 ION centrado en la lectura, donde el rendimiento de escritura es adecuado, pero no es el objetivo principal.

Latencia de escritura secuencial de 128 K (Profundidad de E/S 16 / Número de trabajos 1)

Para una latencia de escritura secuencial de 128K, el Micron 6600 ION registró 704.0 µs. El Micron 6550 ION lideró la carga de trabajo con tan solo 191.0 µs, mientras que el DapuStor R6060 le siguió con 510.0 µs. El Solidigm P5336 de 122.88 TB ofreció 634.0 µs, superando ligeramente al 6600 ION, mientras que el Solidigm P5336 de 61.44 TB registró la latencia más alta con 798.0 µs. A pesar de ubicarse en la mitad de la tabla, el 6600 ION se mantuvo cómodamente por debajo del umbral de 1 ms.

Lectura secuencial de 128 K (Profundidad de E/S 64 / Número de trabajos 1)

Para la lectura secuencial de 128K, el Micron 6600 ION de 245TB alcanzó los 12,729.8 MB/s, quedando segundo en la clasificación general, por detrás del Micron 6550 ION de 61.44TB, que lideró el grupo con 13,979.7 MB/s. El DapuStor R6060 de 122.88TB le siguió de cerca con 11,554.0 MB/s, mientras que el resto del grupo de comparación se quedó muy atrás, con las unidades Solidigm P5336 y el DapuStor J5060 agrupados en torno a los 7.1 GB/s. El 6600 ION se diferenció claramente de la mayoría de los demás, siendo solo el 6550 quien mantuvo una ventaja apreciable.

Latencia de lectura secuencial de 128 K (Profundidad de E/S 64 / Número de trabajos 1)

Para una latencia de lectura secuencial de 128K, el Micron 6600 ION registró 628.0 µs, obteniendo el segundo mejor resultado en la comparativa. El Micron 6550 ION registró la latencia más baja con 571.9 µs, seguido por el DapuStor R6060 con 692.1 µs. El resto de las unidades superaron 1 ms de latencia, siendo el Solidigm P5336 de 122.88 TB el que registró la cifra más alta con 1123.0 µs. El 6600 ION mantuvo una ventaja sustancial en latencia sobre la mayoría de los demás dispositivos, siendo superado únicamente por su hermano menor de Micron.

Escritura aleatoria 64K

Para la escritura aleatoria de 64K, el Micron 6600 ION alcanzó 2,999.6 MB/s. El Micron 6550 ION dominó esta carga de trabajo con 10 516,5 MB/s, mientras que el DapuStor R6060 le siguió con 3,916.9 MB/s. El Solidigm P5336 de 122.88 TB, el DapuStor J5060 y el Solidigm P5336 de 61.44 TB ofrecieron 3,182.7 MB/s, 2,883.7 MB/s y 2,721.4 MB/s, respectivamente. El 6600 ION se situó en la mitad del grupo de comparación, por delante de varias ofertas QLC de la competencia.

Latencia de escritura aleatoria de 64K

Para una latencia de escritura aleatoria de 64K, el Micron 6600 ION registró 83.0 µs, uno de los mejores resultados del grupo. Solo el DapuStor R6060 obtuvo una cifra inferior, de 63.0 µs. El Micron 6550 ION le siguió con 95.0 µs, mientras que el DapuStor J5060 registró la latencia más alta, de 1386.0 µs. Esta carga de trabajo demostró la capacidad del 6600 ION para mantener un comportamiento de escritura extremadamente rápido a pesar de su enorme capacidad.

Lectura aleatoria 64K

En lectura aleatoria de 64K, el Micron 6600 ION alcanzó 11,946.5 MB/s, situándose tercero en la clasificación general. Tanto el DapuStor R6060 como el Micron 6550 ION superaron ligeramente a los demás con 13,274.8 MB/s y 13,204.6 MB/s, respectivamente. El resto de los procesadores se quedaron muy atrás, con los modelos Solidigm P5336 y DapuStor J5060 rondando los 7.1 GB/s. Si bien no fue el líder absoluto, el 6600 ION se mantuvo firmemente entre los procesadores de alto rendimiento.

Latencia de lectura aleatoria de 64K

Para una latencia de lectura aleatoria de 64K, el Micron 6600 ION registró 669.0 µs. Sorprendentemente, el Solidigm P5336 de 122.88 TB ofreció la latencia más baja con 563.0 µs, seguido por el Micron 6550 ION con 607.0 µs. El DapuStor R6060 registró la latencia más alta entre los mejores, con 1285.0 µs. El 6600 ION se situó entre los primeros del grupo y mantuvo un buen equilibrio entre rendimiento y tiempo de respuesta.

Lectura aleatoria 16K

El Micron 6600 ION alcanzó aproximadamente 808 000 IOPS en la carga de trabajo de lectura aleatoria de 16 000 IOPS, situándose entre los mejores del grupo de comparación. El Micron 6550 ION lideró el grupo con aproximadamente 858 000 IOPS, mientras que el DapuStor R6060 le siguió de cerca con aproximadamente 818 000 IOPS. El resto del grupo de comparación se quedó muy atrás, con el Solidigm P5336 y el DapuStor J5060 cerca de los 450 000 IOPS. Este resultado demuestra la capacidad del 6600 ION para ofrecer un sólido rendimiento de lectura aleatoria a pesar de su enorme capacidad.

Latencia de lectura aleatoria de 16K

El Micron 6600 ION mantuvo una de las curvas de latencia más consistentes en la carga de trabajo de lectura aleatoria de 16K, manteniéndose por debajo de 150 µs durante la mayor parte de la prueba antes de finalizar alrededor de 640 µs en el pico de carga. El Micron 6550 ION finalizó con la latencia más baja, aproximadamente 300 µs, mientras que el DapuStor R6060 finalizó cerca de 650 µs. El DapuStor J5060 mostró la mayor volatilidad, con varios picos de latencia importantes y un pico que superó 1 ms.

Escritura aleatoria 16K

El Micron 6600 ION ofreció aproximadamente 192 000 IOPS en la carga de trabajo de escritura aleatoria de 16 KB. El Micron 6550 ION se mantuvo como líder indiscutible con aproximadamente 661 000 IOPS, mientras que el DapuStor R6060 alcanzó alrededor de 224 000 IOPS. El Solidigm P5336 de 61.44 TB y 122.88 TB le siguieron de cerca con aproximadamente 201 000 IOPS y 195 000 IOPS, respectivamente, mientras que el DapuStor J5060 se situó justo por debajo del 6600 ION. Si bien el 6600 ION no fue diseñado como una unidad centrada en la escritura, se mantuvo competitivo frente a las demás unidades SSD QLC de alta capacidad incluidas en la comparativa.

Latencia de escritura aleatoria de 16K

En la prueba de escritura aleatoria de 16K, el Micron 6600 ION mantuvo una baja latencia durante gran parte de la prueba, antes de aumentar bruscamente en las profundidades de cola más altas, finalizando en torno a los 11.6 ms. El Micron 6550 ION ofreció el comportamiento más estable, manteniéndose por debajo de los 500 µs en todo momento, mientras que el DapuStor R6060 alcanzó un pico cercano a los 18.7 ms y el Solidigm P5336 finalizó en torno a los 9.3 ms. El 6600 ION se mantuvo competitivo hasta la saturación, donde la latencia aumentó rápidamente bajo la carga máxima.

Lectura aleatoria 4K

El Micron 6600 ION de 245 TB alcanzó aproximadamente 1.75 millones de IOPS en la prueba de lectura aleatoria 4K, ofreciendo uno de los mejores resultados del grupo de comparación. Solo el Micron 6550 ION y el DapuStor R6060 lo superaron, mientras que el resto de las unidades quedaron muy por detrás. Este resultado confirma la capacidad del 6600 ION para gestionar cargas de trabajo con un alto volumen de transacciones y lecturas intensivas, a pesar de estar optimizado para una densidad de almacenamiento extrema.

Latencia de lectura aleatoria de 4K

El Micron 6600 ION registró una latencia promedio de 289.0 µs en la prueba de lectura aleatoria 4K. Esto lo sitúa entre las unidades con mejor rendimiento de la comparativa, gracias a su equilibrio entre un alto rendimiento de IOPS y tiempos de acceso rápidos. Si bien varios competidores registraron latencias inferiores, el 6600 ION se mantuvo cerca del grupo de unidades líderes probadas.

Almacenamiento directo de GPU

Una de las pruebas que realizamos en este banco de pruebas fue la prueba Magnum IO GPU Direct Storage (GDS). GDS es una función desarrollada por NVIDIA que permite a las GPU ignorar la CPU al acceder a datos almacenados en unidades NVMe u otros dispositivos de almacenamiento de alta velocidad. En lugar de enrutar los datos a través de la CPU y la memoria del sistema, GDS permite la comunicación directa entre la GPU y el dispositivo de almacenamiento, lo que reduce significativamente la latencia y mejora el rendimiento de los datos.

Cómo funciona el almacenamiento directo en GPU

Tradicionalmente, cuando una GPU procesa datos almacenados en una unidad NVMe, estos deben pasar primero por la CPU y la memoria del sistema antes de llegar a la GPU. Este proceso genera cuellos de botella, ya que la CPU actúa como intermediaria, lo que aumenta la latencia y consume valiosos recursos del sistema. El almacenamiento directo en la GPU elimina esta ineficiencia al permitir que la GPU acceda a los datos directamente desde el dispositivo de almacenamiento a través del bus PCIe. Esta ruta directa reduce la sobrecarga del movimiento de datos, lo que permite transferencias más rápidas y eficientes.

Las cargas de trabajo de IA, especialmente las que implican aprendizaje profundo, requieren un uso intensivo de datos. El entrenamiento de redes neuronales de gran tamaño requiere el procesamiento de terabytes de datos, y cualquier retraso en la transferencia de datos puede provocar que las GPU se subutilicen y que los tiempos de entrenamiento sean más prolongados. El almacenamiento directo en la GPU aborda este desafío al garantizar que los datos se entreguen a la GPU lo más rápido posible, lo que minimiza el tiempo de inactividad y maximiza la eficiencia computacional.

Además, GDS es particularmente beneficioso para cargas de trabajo que implican la transmisión de grandes conjuntos de datos, como el procesamiento de video, el procesamiento de lenguaje natural o la inferencia en tiempo real. Al reducir la dependencia de la CPU, GDS acelera el movimiento de datos y libera recursos de la CPU para otras tareas, lo que mejora aún más el rendimiento general del sistema.

Rendimiento de lectura secuencial de GDSIO

En nuestra prueba de rendimiento de lectura secuencial GDSIO, el Micron 6600 ION ofreció el mejor desempeño en bloques pequeños del grupo y se mantuvo competitivo en todos los tamaños de transferencia mayores. A 16K, comenzó con 409.6 MiB/s con un solo hilo, subió de manera constante a 532.5 MiB/s con cuatro hilos, 614.4 MiB/s con ocho y 921.6 MiB/s con 16, luego aumentó a 1.4 GiB/s con 32 hilos, 2.0 GiB/s con 64 y se estabilizó en 1.9 GiB/s con 128 hilos. Eso le dio una clara ventaja en la sección de 16K sobre el DapuStor J5060, el DapuStor R6060, el Micron 6550 ION y el Solidigm D5-P5336, y la diferencia se amplió considerablemente a medida que el número de hilos se desplazaba hacia la mitad superior de la prueba.

A 128K, el 6600 ION siguió mostrando un rendimiento excelente. Alcanzó 921.6 MiB/s con un hilo, subió a 1.9 GiB/s con cuatro, 3.0 GiB/s con ocho y 3.8 GiB/s con 16, luego ascendió a 4.5 GiB/s con 32 hilos, 5.0 GiB/s con 64 y finalizó en 5.2 GiB/s con 128. Esto lo situó a la cabeza del grupo de comparación en casi todos los recuentos de hilos en las pruebas de 128K, con solo el DapuStor R6060 reduciendo la diferencia en la concurrencia más alta. La capacidad de la unidad para escalar sin problemas desde recuentos bajos a altos en este tamaño de bloque fue una de sus características más destacadas.

Los resultados de 1M fueron un poco más irregulares en el extremo inferior, pero terminaron con una nota alta. El 6600 ION comenzó en 2.9 GiB/s con un solo hilo, bajó a 2.2 GiB/s con cuatro hilos, luego se recuperó a 3.2 GiB/s con ocho, 3.7 GiB/s con 16 y 4.2 GiB/s con 32. A partir de ahí, subió bruscamente a 5.0 GiB/s con 64 hilos y alcanzó un máximo de 5.9 GiB/s con 128, igualando al DapuStor R6060 para el resultado más alto de 1M en el grupo. Así que, aunque el 6600 ION tuvo un pequeño punto débil en el rango de hilos intermedios a 1M, su perfil de lectura secuencial general fue excelente, particularmente en las secciones de 16K y 128K donde consistentemente lideró a los comparables.

IOPS de lectura secuencial de GDSIO

En la prueba de IOPS de lectura secuencial GDSIO, el Micron 6600 ION ofreció el mejor rendimiento de bloque pequeño del grupo por un amplio margen. A 16K, comenzó con 24.9K IOPS con un solo hilo, subió a 34.5K con cuatro hilos, 41.3K con ocho y 61.5K con 16, luego aumentó a 92.4K con 32 hilos y alcanzó un pico de 130.4K con 64 antes de estabilizarse ligeramente en 126.7K con 128. Ese pico estuvo muy por delante del resto de los comparables, con el Solidigm D5-P5336 de 122.88 TB como el siguiente más cercano con aproximadamente 93K y el DapuStor J5060, el DapuStor R6060 y el Micron 6550 ION de 61.44 TB alcanzando máximos en el rango de 55K a 63K. La ventaja del 6600 ION sobre el resto aumentó notablemente a partir de los 16 hilos, convirtiéndose en el líder indiscutible durante toda la parte de la prueba correspondiente a los bloques pequeños.

A 128K, el 6600 ION continuó liderando el grupo en casi todos los recuentos de hilos. Registró 7.6K IOPS con un hilo, saltó a 15.6K con cuatro, 24.5K con ocho y 30.9K con 16, luego subió a 36.6K con 32 hilos, 41.2K con 64 y terminó en 43.0K con 128. Esto lo mantuvo por delante del DapuStor R6060, que quedó rezagado por unos pocos miles de IOPS en los recuentos de hilos más altos, y muy por delante del DapuStor J5060, Solidigm D5-P5336 y Micron 6550 ION. El escalado de la unidad de baja a alta concurrencia en este tamaño de bloque fue suave y consistente, sin caídas ni mesetas.

En las pruebas de 1M, la diferencia de IOPS entre las unidades se redujo considerablemente, como era de esperar con tamaños de transferencia mayores. El 6600 ION comenzó con 3.0K IOPS en un hilo, bajó a 2.3K en cuatro hilos, luego se recuperó a 3.2K en ocho, 3.7K en 16 y 4.3K en 32. A partir de ahí, subió a 5.2K en 64 hilos y alcanzó un máximo de 6.0K en 128, terminando justo al lado del DapuStor R6060 en la cima del grupo. Así que, aunque la sección de 1M fue una carrera más reñida, los resultados de 16K y 128K del 6600 ION fueron dominantes, lo que le dio el mejor perfil general de IOPS de lectura secuencial en la comparación.

Latencia de lectura secuencial GDSIO

Finalmente, en nuestra prueba de latencia de lectura secuencial GDSIO, el Micron 6600 ION registró algunas de las latencias promedio más bajas del grupo, particularmente en los tamaños de bloque más pequeños y en los recuentos de subprocesos más altos, donde el resto de los comparables comenzaron a decaer. A 16K, abrió a 39µs con un solo hilo, subió a 115µs con cuatro hilos, 192µs con ocho y 259µs con 16, luego pasó a 344µs con 32 hilos, 487µs con 64 y 1.0 ms con 128. Esos resultados lo mantuvieron por delante del DapuStor J5060, DapuStor R6060, Micron 6550 ION y Solidigm D5-P5336 en la mayoría de las ejecuciones de 16K, con la brecha ampliándose a mayor número de hilos, donde el 6600 ION mantuvo su latencia mucho más ajustada que el resto de los participantes.

A 128K, el 6600 ION siguió mostrando un rendimiento sólido. Registró 131 µs con un hilo, 256 µs con cuatro, 325 µs con ocho y 516 µs con 16, para luego subir a 873 µs con 32 hilos, 1.6 ms con 64 y 3.0 ms con 128. Esto lo mantuvo cerca del final de la pila de latencia en toda la sección de 128K, solo superado por el DapuStor R6060 por un margen estrecho en los recuentos de hilos más altos y muy por delante del Micron 6550 ION y el Solidigm D5-P5336, que comenzaron a subir bruscamente una vez que la concurrencia superó los 32 hilos.

Las pruebas de 1M mostraron el mayor aumento de latencia, como era de esperar con el mayor tamaño de transferencia. El 6600 ION comenzó con 332 µs con un solo hilo, luego subió a 1.8 ms con cuatro hilos, 2.5 ms con ocho, 4.3 ms con 16, 7.4 ms con 32, 12.4 ms con 64 y alcanzó un máximo de 21.3 ms con 128. Incluso con ese aumento, el 6600 ION aún mantuvo las segundas latencias de 1M más bajas del grupo, solo superado por el DapuStor R6060, mientras que el Micron 6550 ION y el Solidigm D5-P5336 subieron a 47.5 ms y 28.9 ms, respectivamente, con 128 hilos.

Rendimiento de escritura secuencial GDSIO

En nuestra prueba de rendimiento de escritura secuencial GDSIO, el Micron 6600 ION de 245.76 TB ofreció un desempeño más modesto que en la lectura, particularmente en tamaños de transferencia mayores, donde el resto de los comparables lo superaron. A 16K, comenzó con 512.0 MiB/s con un solo hilo, subió a 1.1 GiB/s con cuatro hilos, 1.3 GiB/s con ocho y 1.4 GiB/s con 16, luego alcanzó un pico de 1.5 GiB/s tanto con 32 como con 64 hilos antes de volver a 1.2 GiB/s con 128. Esto lo colocó en un grupo muy ajustado con el DapuStor J5060, el DapuStor R6060, el Micron 6550 ION y el Solidigm D5-P5336 en las pruebas de 16K, sin que ninguna unidad se separara significativamente en este tamaño de bloque.

A 128K, el 6600 ION se quedó atrás del resto. Alcanzó 2.2 GiB/s con un hilo, subió a 2.9 GiB/s con cuatro hilos y mantuvo ese nivel hasta ocho, para luego estabilizarse en un lento descenso a 2.8 GiB/s con 16, 2.7 GiB/s con 32, 2.8 GiB/s con 64 y 2.5 GiB/s con 128. Esto lo mantuvo en la parte inferior del grupo durante la mayor parte de las pruebas de 128K, con el DapuStor R6060 liderando con aproximadamente 3.7 a 3.8 GiB/s, el Micron 6550 ION en segundo lugar hasta la mitad del número de hilos, y el Solidigm D5-P5336 y el DapuStor J5060 cómodamente por encima del 6600 ION.

Las pruebas de 1M siguieron un patrón similar. El 6600 ION comenzó en 2.9 GiB/s con un solo hilo, se mantuvo en 2.8 GiB/s con cuatro, volvió a 2.9 GiB/s con ocho, luego bajó a 2.6 GiB/s con 16, 2.4 GiB/s con 32 y terminó en 2.3 GiB/s tanto con 64 como con 128 hilos. Esa escala negativa lo dejó en o cerca del fondo del grupo de comparación en toda la sección de 1M, con el DapuStor R6060 liderando en los recuentos de hilos más bajos y el Micron 6550 ION alcanzando un pico de 3.9 GiB/s con 32 hilos. Así que, si bien el 6600 ION tuvo un desempeño competitivo a 16K, sus resultados de escritura secuencial de 128K y 1M quedaron por detrás del resto de los comparables, especialmente a medida que aumentaba el número de hilos.

IOPS de escritura secuencial de GDSIO

En nuestra prueba de IOPS de escritura secuencial GDSIO, el Micron 6600 ION ofreció un rendimiento competitivo a 16K, pero se quedó atrás del resto una vez que aumentaron los tamaños de bloque. A 16K, comenzó con 31.8K IOPS con un solo hilo, subió a 70.2K con cuatro hilos, 85.7K con ocho y 92.9K con 16, luego alcanzó un pico de 98.0K con 32 hilos antes de volver a bajar a 95.5K con 64 y 81.9K con 128. Esto lo mantuvo muy cerca del DapuStor R6060, el Micron 6550 ION y el Solidigm D5-P5336 en las pruebas de 16K, con el Micron 6550 ION superándolo ligeramente en el pico de 32 hilos y el DapuStor J5060 un poco más abajo en los recuentos de hilos intermedios.

A 128K, el 6600 ION quedó rezagado en el grupo de comparación. Registró 18.4K IOPS en un hilo, subió a 24.0K en cuatro hilos y mantuvo ese rendimiento hasta ocho, luego se estabilizó en 23.1K en 16, 22.2K en 32, 22.8K en 64 y finalizó en 20.6K en 128. Esto lo dejó muy por detrás del DapuStor R6060 y el Micron 6550 ION en los recuentos de hilos bajos y medios, y solo ligeramente por delante del DapuStor J5060 en la mayor parte de la sección de 128K. El patrón de escalado negativo de la unidad más allá de cuatro hilos destacó, ya que los líderes mantuvieron un perfil más plano.

Las ejecuciones de 1M siguieron la misma tendencia. El 6600 ION comenzó con 3.0K IOPS en un hilo, bajó a 2.9K tanto en cuatro como en ocho hilos, luego continuó descendiendo a 2.7K en 16, 2.5K en 32 y 2.4K tanto en 64 como en 128 hilos. Esto lo colocó en o cerca del fondo del grupo de comparación durante toda la sección de 1M, muy por detrás del DapuStor R6060, que lideró con 3.9K IOPS en recuentos bajos de hilos, y el Micron 6550 ION, que alcanzó un pico de 4.0K en 32 hilos. Así que, si bien el 6600 ION se mantuvo firme en 16K, sus resultados de IOPS de escritura secuencial de 128K y 1M fueron los más débiles de los comparables, particularmente a medida que aumentaba la concurrencia.

Latencia de escritura secuencial GDSIO

En nuestra prueba de latencia de escritura secuencial GDSIO, el Micron 6600 ION ofreció resultados competitivos con tamaños de bloque más pequeños, pero alcanzó las latencias más altas del grupo a medida que aumentaban el tamaño de transferencia y el número de hilos. Con 16K, comenzó en 31 µs con un solo hilo, pasó a 56 µs con cuatro hilos, 92 µs con ocho y 170 µs con 16, para luego continuar hasta 324 µs con 32 hilos, 666 µs con 64 y 1.6 ms con 128. Estos resultados lo ubicaron en un rango estrecho con el DapuStor J5060, el DapuStor R6060, el Micron 6550 ION y el Solidigm D5-P5336 en las pruebas de 16K, sin que ninguna unidad se diferenciara significativamente con este tamaño de bloque.

A 128K, el 6600 ION comenzó a quedarse atrás de los líderes. Registró 53 µs con un hilo, subió a 165 µs con cuatro, 331 µs con ocho y 690 µs con 16, luego pasó a 1.4 ms con 32 hilos, 2.8 ms con 64 y 6.2 ms con 128. Esto lo colocó cerca del extremo superior de la pila de latencia en las ejecuciones de 128K, con el DapuStor R6060 ofreciendo la latencia más baja y el Micron 6550 ION muy cerca, mientras que el 6600 ION y el Solidigm D5-P5336 quedaron rezagados con el mayor número de hilos.

En las pruebas de 1M fue donde el 6600 ION se quedó más rezagado. Comenzó con 330 µs con un solo hilo, luego subió bruscamente a 1.4 ms con cuatro hilos, 2.7 ms con ocho, 6.0 ms con 16, 12.8 ms con 32, 26.8 ms con 64 y alcanzó un máximo de 53.7 ms con 128. Ese resultado con 128 hilos fue la latencia de escritura de 1M más alta del grupo de comparación, por delante del DapuStor J5060 (aproximadamente 45 ms), el DapuStor R6060 (43 ms), el Solidigm D5-P5336 (41 ms) y el Micron 6550 ION (39 ms). Así, aunque el 6600 ION se defendió bien a 16K, sus latencias de escritura secuencial aumentaron más rápidamente que las de sus comparables a medida que aumentaban el tamaño del bloque y la concurrencia, lo que lo dejó en la parte inferior del grupo en las cargas de trabajo más pesadas de 1M.

Punto de referencia de puntos de control de DLIO

Para evaluar el rendimiento real de las unidades SSD en entornos de entrenamiento de IA, utilizamos la herramienta de evaluación comparativa Data and Learning Input/Output (DLIO). Desarrollada por el Laboratorio Nacional Argonne, DLIO está diseñada específicamente para probar patrones de E/S en cargas de trabajo de aprendizaje profundo. Proporciona información sobre cómo los sistemas de almacenamiento gestionan desafíos como los puntos de control, la ingesta de datos y el entrenamiento de modelos. La prueba está diseñada para que cada unidad se llene completamente con puntos de control; las unidades SSD de mayor capacidad admiten más puntos de control. El gráfico a continuación ilustra cómo ambas unidades gestionan el proceso en 99 puntos de control (198 para la de 122 TB). Al entrenar modelos de aprendizaje automático, los puntos de control son esenciales para guardar periódicamente el estado del modelo, evitando la pérdida de progreso durante interrupciones o cortes de energía. Esta demanda de almacenamiento requiere un rendimiento robusto, especialmente bajo cargas de trabajo sostenidas o intensivas. Utilizamos la versión 2.0 de la herramienta de evaluación comparativa DLIO, publicada el 13 de agosto de 2024.

Para garantizar que nuestras pruebas de rendimiento reflejaran escenarios reales, las basamos en la arquitectura del modelo LLAMA 3.1 405B. Implementamos el sistema de puntos de control mediante torch.save() para capturar los parámetros del modelo, los estados del optimizador y los estados de las capas. Nuestra configuración simuló un sistema de ocho GPU, implementando una estrategia de paralelismo híbrido con paralelismo tensorial de 4 vías y paralelismo de pipeline de 2 vías distribuidos entre las ocho GPU. Esta configuración dio como resultado tamaños de puntos de control de 1,636 GB, representativos de los requisitos de entrenamiento de modelos de lenguaje grandes actuales.

En nuestra prueba de rendimiento de punto de control DLIO, que mide el tiempo (promedio de pasadas) necesario para completar las operaciones de punto de control en tres pasadas consecutivas, el Micron 6600 ION de 245.76 TB comenzó en la mitad del grupo y se ralentizó considerablemente a medida que se acumulaban más pasadas. En la primera pasada, terminó en 580.98 segundos, lo que lo sitúa tercero en la comparación, por detrás del DapuStor R6060 de 122 TB con 465.33 segundos y el Micron P5336 ION de 61.44 TB con 484.30 segundos, y por delante del Solidigm P5336 de 122.88 TB con 530.75 segundos y el Solidigm P5336 de 61.44 TB con 662.68 segundos.

En la segunda pasada, el 6600 ION subió bruscamente a 926.70 segundos, un aumento de aproximadamente el 60 por ciento con respecto a su primera pasada. Esto lo colocó al final del grupo junto con el DapuStor R6060, que registró 934.50 segundos. El Solidigm P5336 de 122.88 TB subió de forma más moderada a 746.14 segundos, mientras que el Solidigm P5336 de 61.44 TB y el Micron P5336 ION de 61.44 TB se mantuvieron relativamente estables en 640.71 y 570.23 segundos, respectivamente. Ese contraste fue la conclusión clave de la segunda pasada: las unidades QLC de alta capacidad experimentaron un aumento mucho más pronunciado en el tiempo de punto de control una vez que la carga de trabajo dejó de ejecutarse sobre un estado nuevo.

La tercera pasada mostró que el patrón se mantenía. El 6600 ION terminó en 968.18 segundos, una ligera mejora con respecto a la segunda pasada y el resultado más lento del grupo, justo detrás del DapuStor R6060, que registró 965.27 segundos. El Solidigm P5336 de 122.88 TB obtuvo 757.31 segundos, el Solidigm P5336 de 61.44 TB, 639.63 segundos, y el Micron P5336 ION de 61.44 TB, 585.03 segundos.

Al observar el rastro completo por punto de control en lugar de los promedios de tres pasadas, el Micron 6600 ION 245.76TB mantuvo una banda constante en el rango medio de 560 segundos para los primeros 24 puntos de control, luego subió brevemente a alrededor de 990 segundos para los puntos de control 26 a 30 antes de volver a bajar a aproximadamente 560 segundos y mantener ese nivel hasta el punto de control 130. Desde el punto de control 131 en adelante, subió al rango de 750 a 850 segundos, luego subió nuevamente alrededor del punto de control 200 y se estabilizó en una banda sostenida entre 880 y 1,030 segundos para el resto de la ejecución, completando 390 puntos de control en total, más que cualquier otra unidad en la comparación. El DapuStor R6060 mostró un patrón de pasos de dos etapas similar, mientras que las unidades Solidigm y Micron 6550 mantuvieron bandas más estrechas y bajas, pero no ejecutaron tantos puntos de control en general.

Conclusión

El Micron 6600 ION de 245.76 TB prioriza la capacidad, y cumple con creces su cometido. Una sola unidad que ofrece casi un cuarto de petabyte en una sola ranura cambia radicalmente la configuración del rack, y nuestras pruebas respaldan el enfoque centrado en la lectura que Micron diseñó para esta unidad. El rendimiento de lectura secuencial y aleatoria se situó entre los mejores del grupo de comparación; el rendimiento de lectura GDS escaló de forma uniforme con un alto número de subprocesos (16K y 128K); y la lectura aleatoria de 4K alcanzó casi 1.75 millones de IOPS. Para almacenes de objetos, lagos de datos de IA, análisis y repositorios de contenido donde el patrón de acceso está dominado por la lectura y la limitación es la capacidad por vatio, esta unidad cumple con creces su cometido.

Las ventajas y desventajas son igualmente claras, y los compradores deberían dimensionar teniendo en cuenta estas ventajas en lugar de evitarlas. El rendimiento de escritura secuencial se situó en la media del sector, el rendimiento de escritura GDS y la latencia se quedaron por detrás de los comparables a medida que aumentaban el tamaño del bloque y la concurrencia, y las pruebas de punto de control DLIO mostraron que el 6600 ION se ralentizaba significativamente una vez que la carga de trabajo salía de un estado nuevo, terminando al final del grupo en las pasadas dos y tres. La unidad de indirección de 16K y la clasificación RDWPD de 0.075 4K son los detalles relevantes para cualquiera que considere un tráfico de escritura aleatoria inferior a 16K. Nada de esto sorprende en una unidad QLC diseñada para la densidad, pero sí define dónde encaja el 6600 ION y dónde no.

El argumento principal se basa en la potencia y el tamaño, no en el rendimiento máximo. Con 8.2 TB por vatio frente a los aproximadamente 4.4 TB por vatio de los discos duros de alta capacidad con los que se compara Micron, y con un rack de 720 unidades que alcanza los 176.9 PB frente a los 31.7 PB de una cantidad equivalente de discos duros, la eficiencia es el punto fuerte del producto. Para los operadores que gestionan el crecimiento del almacenamiento dentro de presupuestos fijos de potencia y espacio físico, el 6600 ION de 245 TB es una solución viable, siempre que la carga de trabajo se ajuste a su diseño con alta carga de lectura.

Página del producto Micron 6600 ION

Clasificación: El Micron 6600 ION de 245.76 TB ocupa el primer puesto en la clasificación de las mejores unidades SSD empresariales de alta capacidad.