Samsung Electronics ha annunciato l'avvio della produzione in serie del primo modulo DRAM da 4 GB basato sull'interfaccia High Bandwidth Memory (HBM2) di seconda generazione. Progettato per HPC, grafica avanzata, sistemi di rete e server aziendali, Samsung afferma che offrirà prestazioni sette volte superiori rispetto agli attuali limiti prestazionali delle DRAM, garantendo una maggiore reattività nelle attività di calcolo di fascia alta. Questo annuncio segue la presentazione, avvenuta lo scorso ottobre, di un modulo RDIMM DDR4 3D TSV da 128 GB.
Nella foto, RDIMM 128D TSV DDR3 da 4 GB
Sfruttando la più efficiente tecnologia di processo a 20 nanometri di Samsung e il design avanzato del chip HBM, il pacchetto HBM4 da 2 GB viene creato impilando un die buffer nella parte inferiore e quattro die core da 8 Gb nella parte superiore (un singolo die contiene oltre 5,000 fori TSV). Samsung spiega che poi si interconnettono verticalmente tramite fori TSV e microbump. Il nuovo pacchetto DRAM di Samsung raddoppia anche la larghezza di banda della generazione precedente con 256 GBps. Inoltre, consente una maggiore efficienza energetica raddoppiando la larghezza di banda per watt rispetto a una soluzione basata su GDDR4 da 5 Gb, incorporando nel contempo la funzionalità ECC per un'elevata affidabilità.
Samsung indica che prevede di produrre un pacchetto DRAM HBM8 da 2 GB entro quest'anno, che consentirà ai progettisti di beneficiare di un risparmio di spazio di oltre il 95% rispetto alla DRAM GDDR5. Di conseguenza, saranno possibili soluzioni più ottimali per dispositivi compatti che richiedono capacità di elaborazione grafica di alto livello.
Samsung aggiunge che aumenterà gradualmente il tasso di volume di produzione della sua DRAM HBM2 nel corso del 2016 per soddisfare la domanda del mercato di sistemi di rete e server.
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