SanDisk နှင့် Toshiba တို့သည် ယခုနှစ် ဒုတိယနှစ်ဝက်တွင် 15nm NAND တင်ပို့မှုများကို စတင်ရန် မျှော်လင့်ထားကြောင်း ကြေညာခဲ့သည်။ ယခုအချိန်အထိ ထုတ်လုပ်မှုအရည်အသွေးရှိသော NAND သည် 19/20nm အတိုင်းအတာအထိ သိသိသာသာ ကျဆင်းသွားခဲ့သည်။ ဖက်စပ်လုပ်ငန်းသည် 15nm flash နည်းပညာကို bits-per-cell နှစ်ခုနှင့် bits-per-cell NAND flash memory ဗိသုကာလက်ရာသုံးခုအဖြစ် မြှင့်တင်မည်ဖြစ်သည်။ 19nm NAND ထုတ်လုပ်မှုအစား Fab 5 တွင် လုပ်ငန်းကို လုပ်ဆောင်သွားမည်ဖြစ်သည်။ Fab 5 ၏ ဒုတိယအဆင့်ကို လက်ရှိတွင် တည်ဆောက်နေပြီး 15nm NAND ကိုလည်း ကိုင်တွယ်မည်ဖြစ်သည်။
SanDisk က process node ကို "စက်မှုလုပ်ငန်းတွင် အဆင့်မြင့်ဆုံး... ကမ္ဘာ့အသေးဆုံးနှင့် ကုန်ကျစရိတ်အသက်သာဆုံး 128 gigabit ချစ်ပ်များကို ပေးပို့နိုင်စေသည်" ဟု ခေါ်ဆိုသည်။ အဆိုပါစီမံကိန်းသည် ချစ်ပ်များကို ဝင်ရိုးနှစ်ခုလုံးတစ်လျှောက် တိုးချဲ့ရန် လုပ်ငန်းစဉ်နှင့် ဒီဇိုင်းဆန်းသစ်တီထွင်မှုများကို အသုံးချနေသည်။ ထို့အပြင် SanDisk သည် စွမ်းဆောင်ရည် သို့မဟုတ် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို မထိခိုက်စေဘဲ ၎င်းတို့၏ကိုယ်ပိုင် programming algorithms များနှင့် storage management အစီအစဉ်များကို ထားရှိထားသည့် All-Bit-Line (ABL) ဗိသုကာကို ထည့်သွင်းထားသည်။ flash ချစ်ပ်အသစ်များသည် 19nm နည်းပညာနှင့် အတူတူပင် write performance ကို မောင်းနှင်မည်ဟု မျှော်လင့်ရသော်လည်း ပိုမိုမြင့်မားသော မြန်နှုန်းရှိသော interface အသစ်ကြောင့် data transfer rate 30% ပိုမိုမြန်ဆန်မည်ဖြစ်သည်။
နည်းပညာအထူးခြားချက်များထက် အသေးစိတ်အချက်အလက်များသည် ပါးလွှာသော်လည်း၊ SanDisk နှင့် Toshiba တို့သည် မန်မိုရီကတ်များမှသည် enterprise SSD ဖြေရှင်းချက်များအထိ ၎င်းတို့၏ flash ဖြေရှင်းချက်အားလုံးမှတစ်ဆင့် 15nm NAND ကို အသုံးပြုရန် မျှော်လင့်ထားသည်။
အမေဇုံ