ယနေ့တွင် Toshiba memory America, Inc. မှ ၎င်း၏ Storage Class Memory (SCM) ဖြေရှင်းချက် XL-FLASH ကို စတင်မိတ်ဆက်လိုက်ကြောင်း ကြေညာခဲ့သည်။ XL-FLASH သည် 1-bit-per-cell SLC ပါရှိသော Toshiba ၏ BiCS FLASH 3D flash memory နည်းပညာကို အခြေခံထားသည်။ SCM နည်းပညာအသစ်သည် ကုန်ကျစရိတ်သက်သာစွာဖြင့် နှောင့်နှေးမှုကို လျှော့ချပေးနေစဉ်တွင် လုပ်ငန်းအတွက် မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်ကို ယူဆောင်လာရန် ရည်ရွယ်ပါသည်။
Toshiba XL-FLASH ဆိုတာ ဘာလဲ။
Storage Class memory ကို persistent memory (သို့မဟုတ် ကျွန်ုပ်တို့ မကြာခဏ ရည်ညွှန်းလေ့ရှိသည့်အတိုင်း PMEM) လို့လည်း ခေါ်ပါတယ်။ SCM မှာ NAND နဲ့ဆင်တူတဲ့ အကြောင်းအရာတွေကို သိမ်းဆည်းနိုင်စွမ်းရှိပေမယ့် စွမ်းဆောင်ရည်ရှုထောင့်ကနေကြည့်ရင် DRAM နဲ့ NAND ကြားက နေရာလွတ်မှာ တည်ရှိပါတယ်။ DRAM ဟာ ပိုမိုမြန်ဆန်တဲ့ စွမ်းဆောင်ရည်ကို ယူဆောင်လာပေးနေဆဲဖြစ်ပေမယ့် မကြာခင်မှာ ကျဆင်းသွားမယ့်ပုံ မပေါ်ပါဘူး။ SCM ဟာ တတ်နိုင်တဲ့ ဈေးနှုန်းနဲ့ storage hierarchy မှာ အလွှာအသစ် ဒါမှမဟုတ် အလွှာတစ်ခုကို ထည့်သွင်းပေးပါတယ်။ SCM ဟာ DRAM ထက် ပိုမိုမြင့်မားတဲ့ storage capacities နဲ့ 3D NAND ထက် ပိုမိုမြင့်မားတဲ့ speeds (latency လျော့နည်းခြင်းနဲ့အတူ) ကိုလည်း ယူဆောင်လာပေးပါတယ်။
Key ကိုအင်္ဂါရပ်များပါဝင်သည်:
- ၁၂၈ ဂစ်ဂါဘစ် (Gb) ဒစ် (၂ ဒစ်၊ ၄ ဒစ်၊ ၈ ဒစ် ပက်ကေ့ချ်တွင်)
- ပိုမိုထိရောက်သော operating system ဖတ်ရှုရေးသားရန်အတွက် စာမျက်နှာအရွယ်အစား 4KB
- ပိုမိုထိရောက်သော parallelism အတွက် 16-plane architecture
- စာမျက်နှာဖတ်ရှုခြင်းနှင့် ပရိုဂရမ်ရေးသားချိန်မြန်ဆန်ခြင်း။ XL-FLASH သည် လက်ရှိ TLC ထက် ၁၀ ဆခန့်ပိုမြန်သော ၅ မိုက်ခရိုစက္ကန့်အောက် ဖတ်ရှုချိန်နည်းပါးစေပါသည်။
Toshiba ရဲ့ XL-FLASH ကို ပထမဆုံးမိတ်ဆက်တဲ့အခါ SSD format တွေကို မြင်တွေ့ရပါလိမ့်မယ်။ ဒါပေမယ့် အနာဂတ်မှာတော့ SCM ဟာ NVDIMM လိုပဲ DRAM bus ပေါ်မှာထိုင်နေတဲ့ memory channel ကို ရောက်သွားနိုင်ပါတယ်။ Toshiba ဟာ NAND ရဲ့ ရှည်လျားတဲ့သမိုင်းကြောင်းကို အခြေခံပြီး (NAND ကို တီထွင်ခဲ့ပြီး 3D flash memory ကို ပထမဆုံးကြေညာခဲ့တယ်လို့ ဆိုထားတဲ့အတိုင်း) SCM ဈေးကွက်ကို တည်ဆောက်သွားမှာပါ။
အသုံးပြုနိုင်မှု
Toshiba သည် စက်တင်ဘာလတွင် XL-FLASH ကို နမူနာယူခြင်းစတင်မည်ဖြစ်ပြီး ၂၀၂၀ ခုနှစ်တွင် အစုလိုက်အပြုံလိုက်ထုတ်လုပ်မှုစတင်ရန် မျှော်လင့်ရသည်။
အမေဇုံ