Toshiba ogłosiła opracowanie pamięci flash BiCS o 48-warstwowej, trójwymiarowej strukturze komórek ułożonych w stos. Jest to urządzenie o pojemności 128 gigabitów (16 gigabajtów) i 2 bitach na komórkę. Przeznaczone głównie do dysków SSD, urządzenie BiCS opiera się na 48-warstwowym procesie układania w stos, który zwiększa niezawodność i trwałość zapisu/kasowania danych, a jednocześnie szybkość zapisu. Próbki produktów wykorzystujących nową technologię rozpoczną się już dziś.
Toshiba nadal kładzie nacisk na rozwój zoptymalizowanej produkcji masowej, aby sprostać dalszemu wzrostowi rynku w 2016 roku i w przyszłości. Firma wynalazła technologię BiCS 3D na początku XXI wieku, a Toshiba aktywnie wspiera migrację do pamięci flash 3D, wprowadzając na rynek portfolio produktów koncentrujących się na aplikacjach o dużej pojemności, w tym dyskach SSD. Technologia 3D firmy Toshiba oferuje cztery kluczowe korzyści: mniejsze zużycie energii, lepszą wytrzymałość, większą efektywność energetyczną i wyższą gęstość. Dzięki temu idealnie nadaje się do różnorodnych zastosowań wymagających wysokiej wydajności.
Toshiba przygotowuje się również do masowej produkcji w nowym zakładzie Fab2 w Yokkaichi Operations, swojej fabryce pamięci flash NAND. Mniej więcej o tej samej porze zeszłego roku firma ogłosiła, że zamierza zastąpić swój stary zakład produkcyjny w Yokkaichi w Japonii, aby przejść na technologię 3D NAND. Budowa nowego zakładu Fab2 jest obecnie w trakcie realizacji i zakończy się w pierwszej połowie 2016 roku.
Micron i Intel ogłosiły dziś również wspólnie opracowaną nową technologię 3D NAND.
Omów tę historię
Amazon