英特尔和美光在今年的闪存峰会上获得了一些奖品。 两人凭借公司的 20 纳米 NAND 闪存工艺技术获得了最具创新闪存技术奖。 英特尔和美光的 20 纳米 8GB NAND 芯片以最小的外形提供最大的容量。
与现有的 20 纳米 8GB NAND 设备相比，118 纳米 30GB 芯片的尺寸仅为 40 毫米，电路板空间减少了 25% 至 8%。 闪存布局的减少提供了更高的系统级效率，并在平板电脑和智能手机等设备中为更大容量的电池或其他硬件等设备提供了更多空间。
NAND 能小到什么程度？
目前，固态硬盘领域大多数顶级产品都采用英特尔/美光25nm NAND闪存，只有少数产品使用东芝32nm Toggle NAND闪存。向20nm NAND闪存过渡是合乎逻辑的下一步，但芯片尺寸缩小工艺也有其局限性。大多数迹象表明，消费级和企业级固态硬盘将在2012年过渡到20nm NAND闪存，并在2013年中后期进一步缩小至1Xnm。此后，美光等行业领导者正在研发3D NAND技术，这将为容量和硬盘性能带来巨大的新机遇。
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