铠侠（Kioxia）和闪迪（Sandisk）公布了一项联合资本投资计划，总额超过31亿美元（约合5万亿日元），旨在到2032年扩大日本先进3D NAND闪存的生产规模。该计划的资金投入取决于日本政府的补贴，并建立在双方长达25年的制造合作关系之上。此前，双方已向日本本土制造基础设施投入超过50亿美元。
此次资本支出将用于资助合资企业位于四日市和北上工厂的主要制造中心的高级工具、人工智能驱动的洁净室自动化以及基础设施扩建。双方的目标是确保未来多年的比特增长，并随着企业工作负载、超大规模基础设施、边缘部署和客户端人工智能架构中高密度存储需求的加速增长，稳定全球闪存供应。
北上工厂Fab3建设工程正在进行中
根据投资路线图，铠侠已启动Fab3的场地准备工作。Fab3是位于岩手县北上工厂Fab2南侧的一座新型半导体制造厂。Fab3旨在生产下一代BiCS FLASH 3D NAND技术，预计将于2029财年投产。最终的部署计划、洁净室建设和设备安装将根据市场需求和最终确定的政府支持拨款分阶段进行调整。
此次扩张是继1月份正式将四日市工厂的合资企业运营框架延长至2034年12月之后进行的。合资企业结构允许两家公司共同投资晶圆制造资产，共享工艺技术开发，并利用智能制造系统来提高前沿节点过渡的生产良率。
领导层对长期战略的看法
高层领导强调，持续的资本投入对于保持对高要求计算平台的比特密度、能效和高带宽输出的竞争力至关重要。
“此次联合投资进一步巩固了我们与闪迪的长期合作伙伴关系，也彰显了铠侠致力于推动人工智能社会发展的坚定承诺。”铠侠总裁兼首席执行官太田博夫表示。他还指出，日本政府的战略支持对于保持生产竞争力至关重要。
“数十年来，闪迪和铠侠一直携手开发世界一流的NAND闪存技术，”闪迪董事长兼首席执行官大卫·格克勒表示。格克勒指出，此次投资计划符合公司的业务战略和财务指导，既能确保满足不断增长的客户需求，又能为合资企业所在社区创造新的经济机遇。
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