美光科技和英特尔今天宣布推出新的 3D NAND 技术。 这种由两家公司共同开发的新型闪存技术被称为世界上密度最高的技术。 这些公司声称他们将能够获得比竞争性 NAND 技术高三倍的容量。
从消费者移动设备到企业部署，Flash 正在或已经在大多数领域得到采用。 目前业界面临的最大问题是平面NAND正在达到其实际缩放极限。 美光和英特尔的目标是通过垂直堆叠数据存储单元层的 3D NAND 来改变这一现状。
英特尔和美光选择在他们的 3D NAND 中使用业界已经使用了一段时间的浮栅单元。 这是首次将浮栅单元用于 3D NAND。 凭借浮栅单元的良好记录，英特尔和美光相信他们可以通过使用该技术获得更好的性能、可靠性和更高的质量。 这种新的 3D NAND 技术允许闪存单元垂直堆叠 32 层。 这将实现 256Gb 的 MLC 裸片和 384Gb 的 TLC 裸片，两者仍然适合标准封装。 这种容量的增加将使 M.2 SSD 的总存储容量达到 3.5TB 或更多，标准 2.5" SSD 的总存储容量将达到 10TB 或更多。这种容量的增加将使闪存对数据中心更具吸引力需要在一定密度内适合存储。
主要功能包括：
- 大容量——是现有 3D 技术容量的三倍——每个裸片高达 48GB 的 NAND——使四分之三的 TB 能够容纳在一个指尖大小的封装中。
- 降低每 GB 的成本——第一代 3D NAND 的架构旨在实现比平面 NAND 更好的成本效率。
- 快速 – 高读/写带宽、I/O 速度和随机读取性能。
- 绿色——新的睡眠模式通过切断非活动 NAND 芯片的功率（即使同一封装中的其他芯片处于活动状态）来实现低功耗使用，从而显着降低待机模式下的功耗。
- 智能 – 创新的新功能与前几代产品相比，可改善延迟并提高耐用性，并使系统集成更加容易。
可用性
256Gb MLC 今天在精选合作伙伴处提供样品，384Gb 将在本季度晚些时候提供样品。 预计将于 2015 年下半年开始生产。
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