三星率先宣布他们已经成功开发出 10 纳米级（工艺节点在 10 到 20 纳米之间）。 这一公告不仅领先于三星的竞争对手，也领先于 DDR5 和 LPDDR5 规格的最终确定。 微电子行业标准组织 JEDEC 仍在预测今年晚些时候将发布完整的 DDR5 标准。 三星在 4 年同样先于相关标准发布了他们的 LPDDR2014 芯片。从那时起，他们告诉我们，他们一直在为过渡到 LPDDR5 标准做好准备，以便在即将到来的 5G 和人工智能 (AI) 驱动的移动设备中使用应用程序。
新开发的 8Gb LPDDR5 是三星高端 DRAM 产品线的最新成员，该产品线包括 10nm 级 16Gb GDDR6 DRAM（自 2017 年 16 月开始量产）和 5Gb DDR8 DRAM（5 月开发）。 6,400Gb LPDDR1.5 的数据速率高达每秒 4 兆位 (Mb/s)，是当前旗舰移动设备中使用的移动 DRAM 芯片（LPDDR4266X，5Mb/s）的 51.2 倍。 随着传输速率的提高，新的 LPDDR14 可以在一秒钟内发送 3.7 GB 的数据，或大约 64 个全高清视频文件（每个 XNUMXGB）（假设 XNUMX 位内存总线在高清视频中很常见）终端移动平台）。
三星计划以两种带宽提供其新的 LPDDR5 芯片，6,400 工作电压 (V) 下的 1.1Mb/s 和 5,500V 下的 1.05Mb/s。 上一代 LPDDR4x 使用类似的 1.1V 工作电压，但仅提供 4,260Mb/s 的带宽。 因此，新芯片将在不使用更多功率的情况下提供更高的性能，而在性能较低的版本的情况下，功率实际上会略微降低。 三星声称，这种性能提升是通过多项架构改进实现的。 通过将内存“组”（DRAM 单元内的细分）的数量从 16 个增加到 XNUMX 个，新内存可以在不增加功耗的情况下获得更高的速度。
除了降低峰值功耗的架构改进外，三星还进行了几项降低平均功耗的创新。 10 纳米级 LPDDR5 经过精心设计，可在处于活动模式时根据相应应用处理器的运行速度降低电压。 此外，该芯片已配置为避免用“0”值覆盖单元格，从而避免在重申现有值时浪费电力。 最令人印象深刻的是，新的 LPDDR5 芯片将提供“深度睡眠模式”，将功耗降低到当前 LPDDR4X DRAM 的“空闲模式”的大约一半。 得益于这些低功耗特性，三星有望将功耗降低多达 30%，从而最大限度地提高移动设备性能并延长智能手机的电池寿命。
三星尚未开始量产。 他们可能正在等待规范最终确定。 一旦量产，他们已经选择了韩国平泽的工厂作为生产地点。 鉴于三星在其新闻稿中强调移动应用程序，最初的生产似乎很可能会针对智能手机和其他移动设备。
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