三星宣布已开始量产业界首款10纳米级8Gb DDR4 DRAM芯片及其衍生模块。三星表示，该芯片显著提升了晶圆生产效率，并将数据传输速率提高至3,200 Mbps，这两项指标均比20纳米制程的8Gb DDR4 DRAM快30%。此外，与采用20纳米制程的同类产品相比，新型模块的功耗也降低了10%至20%。今年早些时候，三星还宣布量产HBM2 4GB DRAM封装和基于UFS 2.0的256GB嵌入式内存。
三星能够利用专有电路设计技术与四重图案光刻技术创造出这种全新的 10 纳米级单元结构。 虽然四重图案允许使用现有的光刻设备，但正是三星的内部技术基础促成了下一代 10 纳米级 DRAM 的开发。
此外，改进的介电层沉积技术促进了新的 10 纳米级 DRAM 的额外性能改进。 三星补充说，他们的工程师将具有“前所未有的均匀性”的超薄介电层应用到单元电容器上的厚度仅为一位数埃。 这导致了更高电池性能所需的电容。
三星计划推出具有高密度和速度的 10 纳米级移动 DRAM 解决方案，该解决方案计划于今年晚些时候发布。 该公司还预计在 20 年通过其新的 10 纳米级 DRAM 产品组合扩展其 2016 纳米 DRAM 产品线。
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