三星宣布将量产业界首款采用硅通孔（TSV）技术的128GB DDR4内存模块，用于企业级服务器和数据中心。此外，三星全新的TSV RDIMM技术为企业级超大容量内存铺平了道路。这款新型TSV DRAM模块号称是目前市面上容量最大、能效最高的DRAM模块，同时兼具高速性能和高可靠性。128GB TSV DDR4 RDIMM内存模块包含144颗DDR4芯片，封装在36个4GB DRAM封装中，每个封装包含四颗采用先进TSV封装技术的20nm工艺8Gb芯片。上周，三星宣布与Netlist公司合作，共同开发一种新型内存解决方案——NVDIMM-P（NV-P）。
传统的芯片封装通过引线键合互连管芯堆叠，而 TSV 封装使用的芯片管芯被打磨到只有微米，然后穿上数百个细孔，并通过穿过这些孔的电极垂直连接。 这使得信号传输显着增加。 此外，三星新推出的 128GB TSV DDR4 模块采用独特的设计，每个 4GB 封装的主芯片都嵌入了数据缓冲功能，以优化模块性能和电源效率。 这为下一代服务器创建了低功耗解决方案，速度高达 2,400 Mbps。 三星表示，与 50GB LRDIMM 相比，这个数字几乎是性能的两倍，能效高出 64%。 此外，三星的 TSV DRAM 将包括数据传输速度高达 2,667Mbps 和 3,200Mbps 的模块，专为强化企业服务器需求而设计。
三星计划在未来几周内提供其全新高性能 TSV DRAM 模块的完整系列，包括 128GB LRDIMM。 该公司还计划将 TSV 应用扩展到高带宽存储器 (HBM) 和消费产品中。
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