美光展示512GB DDR5 RDIMM：雙路伺服器單機容量12TB，讀寫速度9,200 MT/s，預計2027年下半年量產。

by 布賴恩·比勒 on 2026 年 9 月 15 日

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美光公司展示了一款可在多種伺服器平台上運行的 512GB DDR5 RDIMM 記憶體條，並稱其為全球首款如此大容量的記憶體模組。美光錶示，AMD 和英特爾都在對其下一代伺服器平台進行驗證。此記憶體模組的額定速度高達 9,200 MT/s，在 24 插槽雙路伺服器中，可為兩顆 CPU 提供 12TB 的 DDR5 記憶體。預計 2027 年下半年開始量產。

美光DDR5 RDIMM記憶體條放置在伺服器CPU散熱器上，圖片由美光公司提供。

美光如何實現單一記憶體容量達到 512GB？

美光採用垂直堆疊的方式，在每個封裝內堆疊DRAM晶片，並透過矽通孔（TSV）連接，這與HBM所採用的晶片堆疊方式相同。在每個封裝內堆疊更多晶片，即可在不改變模組尺寸或伺服器DIMM數量的情況下，使每個插槽的容量翻倍，這就是雙路24插槽系統實現12TB容量的原因。

「美光持續引領內存技術發展，推出新一代超高密度、高效能伺服器內存，幫助客戶將更大的數據集更靠近需要它們的計算引擎，」美光高級副總裁兼雲端內存業務部總經理Raj Narasimhan表示。 “512GB RDIMM記憶體條可支援多TB級伺服器，從而在現有伺服器空間內實現更大的AI和資料庫工作負載、更高的虛擬化密度和更高的能效。”

9,200 MT/s 的讀寫速度是另一個值得關注的數據，遠超過目前 Xeon 6 平台上標準 RDIMM 記憶體的 DDR5-6400 上限。美光此次發布的這款記憶體模組與兩家 CPU 廠商的下一代平台均有關聯，因此其速度和容量預計將在 2027 年的伺服器週期中同步推出。我們實驗室的許多 Xeon 6 和 EPYC 系統中都使用了美光 RDIMM 內存，而今年早些時候，HPE XD230 創下的 STAC-A2 紀錄也與美光 MRDIMM 內存不相上下。

一個 512GB 模組對四個 128GB 模組

美光聲稱，單一 512GB RDIMM 記憶體條的功耗比四條相同總容量的 128GB RDIMM 記憶體降低 60% 以上。 512GB 記憶體條的功耗為 16W，而四條 128GB 記憶體條的總功耗為 44.2W，功耗降低了 63.8%，即每 GB 功耗約為 31mW，而四條 128GB 記憶體的總功耗為 86mW。此比較假設伺服器有四個空閒插槽可供使用；而更常見的情況是伺服器插槽已滿，此時 512GB 記憶體是唯一的擴充容量方式。在許多應用場景中，儲存密度優勢都至關重要，我們最近在討論美光的245TB SSD時也提到了類似的問題。

在效能方面，美光錶示，與 256GB DDR5 配置相比，對於 Spark SVM 資料分析等記憶體密集型工作負載，吞吐量最高可提高 1.4 倍；並且表示，該模組可提高 RocksDB 和 Redis 等記憶體密集型資料庫和快取平台的吞吐量和併發性。

AMD、英特爾和早期客戶的聲音

兩家CPU供應商均提供了驗證聲明。 AMD公司計算與企業AI平台解決方案工程副總裁Amit Goel表示：「我們與美光的緊密工程合作，將運算和記憶體創新相結合，幫助客戶充分發揮AMD平台的價值。」英特爾資料中心事業部平台與系統工程總經理Karin Eibschitz Segal表示，英特爾「正與美光區緊密合作，以滿足其對未來的未來投資服務基金

新聞稿還引用了摩根大通基礎設施平台首席資訊長 Darrin Alves 的話，他表示，更高容量的記憶體「將幫助企業支援更大的記憶體工作負載，提高資源利用率，並增強擴展現代運算環境所需的靈活性」。美光列舉了記憶體資料庫、大規模虛擬化以及用於LLM和代理工作負載的CPU端推理等應用場景，所有這些場景都受到伺服器在溢出到儲存之前可以在主記憶體中儲存多少資料的限制。