固態硬盤詞彙表

本文定義了固態儲存領域的術語，並使其符合2026年的實際使用情況。對於需要透過實踐才能更好地理解的定義，我們會提供相關評測或報道的鏈接，以便讀者了解該概念的實際應用。如果您是固態硬碟 (SSD) 的新手，請先閱讀《SSD 參考指南》。

介面和外形尺寸

NVMe：專為快閃記憶體而生的協議，它以基於 PCIe 的大規模並行佇列取代了 SATA 磁碟時代的命令模型。如今，所有高效能 SSD 都採用 NVMe 協定。

PCIe Gen4/Gen5/Gen6：這幾代總線決定了固態硬碟 (SSD) 的速度上限；每一代頻寬都翻倍。 Gen4 的速度上限接近 7.5GB/s，Gen5 接近 15GB/s，而 Gen6 企業級固態硬碟已實現量產，速度可達 28GB/s 甚至更高。

M.2：消費級固態硬碟的棒狀外形尺寸，最常見的是 2280（22mm x 80mm），透過 PCIe 連接。

U.2 / U.3： 2.5 吋資料中心外形尺寸，現在在新平台上被 EDSFF 取代。

EDSFF（E1.S / E3.S / E3.L）：專為快閃記憶體而非磁碟設計的企業級外型尺寸系列。 E3.S 已成為人工智慧和儲存伺服器的預設插槽；實驗室中目前使用的 E3.S 硬碟型號為KIOXIA CD9P-R 。

SATA：傳統接口，速度上限約 550MB/s。僅適用於老舊系統和某些啟動用途。

NAND 快閃記憶體：每個 SSD 內部的非揮發性記憶體，以頁和區塊為單位組織，以頁為單位寫入，以區塊為單位擦除。

SLC/MLC/TLC/QLC：每個儲存單元儲存1、2、3或4位元資料。儲存位越多，每美元的容量越大，但耐用性和速度會降低。 TLC是性能主流；QLC則主打大容量，單片硬碟容量可達245TB。

pSLC（偽SLC）快取：一塊以一位模式運作的TLC/QLC快閃記憶體，用作快速寫入緩衝區。突發速度來自此快取；持續速度則取決於快取填滿後剩餘的效能，因此我們的評測會測試快取填滿後的效能。

3D NAND / 層數：垂直堆疊單元；現代快閃記憶體超過 200 層，現在超過 300 層，375 層晶圓鍵結 NAND 已發布。

HBF（高頻寬快閃記憶體）：一種新興的堆疊式快閃記憶體類別，定位在 HBM 和 SSD 之間，用於 AI 記憶體層；它於 2026 年獲得了第一個開放規範。

IOPS：每秒輸入/輸出運算元，衡量小塊隨機讀寫效能的指標。比較時，區塊大小至關重要：企業級 SSD 的 IOPS 通常以 4KB 為基準，因此請謹慎對待以其他區塊大小為基準的資料。

延遲：完成單一操作所需的時間；這是影響系統運作速度體驗的最重要指標。閃存在這方面比磁碟快幾個數量級。

順序傳輸與隨機傳輸：連續的大批量傳輸與分散的小批量傳輸。行銷通常採用順序傳輸；實際工作負載通常是混合模式。

DWPD：每日寫入次數，是衡量硬碟在保固期內耐用性的指標。像Micron 9550 MAX這樣的混合用途硬碟的DWPD 高於讀取密集型硬碟。

TBW：寫入的TB數，消費者耐用度評級。

損耗均衡：控制器邏輯將寫入操作均勻地分配到快閃記憶體上，因此不會出現快閃記憶體區塊過早損耗的情況。

垃圾回收/TRIM：後台回收已刪除的資料區塊，以及告訴磁碟機哪些區塊是空閒的主機指令。

超額配置：為確保耐用性和效能穩定性，預留的快閃記憶體容量超出規定容量。

控制器：負責管理快閃記憶體、主機介面、快取和糾錯的處理器。它是硬碟之間最大的區別所在；可以參考SanDisk WD_BLACK SN8100，了解控制器調優帶來的效能提升。

DRAM / 無 DRAM / HMB：用於位址映射的板載內存，或主機內存緩衝區，在高容量驅動器中藉用系統 RAM。

斷電保護 (PLP)：在斷電時清除飛行中資料的電容器；企業級硬碟的標準配置，消費級硬碟則沒有。

NVMe 命名空間：一個實體磁碟機的邏輯分割區，用於企業部署。

ZNS / FDP：分區命名空間和靈活資料放置，主機引導的資料放置方案，可減少超大規模部署中的寫入放大。

CXL：透過 PCIe 實現的相干互連，用於記憶體擴展、池化和分層；CXL 4.0 IP 現在達到 128 GT/s。

GPU 發起的儲存：讓 GPU 直接向 NVMe 驅動器發出讀取請求，而不是透過 CPU 進行路由，這在NVIDIA 的 SCADA 模型中得到了正式闡述。

KV 快取卸載：將 LLM 推理上下文從 GPU 記憶體轉移到快閃記憶體層，這是重塑企業 SSD 需求的眾多工作負載之一。

HAMR：熱輔助磁記錄，硬碟技術，與 SSD 的容量底線競爭密切相關；在我們的Exos M 30TB 評測中有所介紹。

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