Samsung သည် မှတ်ဉာဏ်နှင့်သိုလှောင်မှု၏ အနာဂတ် (FMS) ၂၀၂၆ ညီလာခံကို အသုံးပြု၍ ဉာဏ်ရည်တုနှင့် မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော ကွန်ပျူတာအတွက် ၎င်း၏ နောက်ဆုံးပေါ် မှတ်ဉာဏ်နှင့်သိုလှောင်မှုနည်းပညာများကို တင်ပြခဲ့သည်။ ကုမ္ပဏီသည် DRAM၊ NAND၊ enterprise storage၊ အဆင့်မြင့်ထုပ်ပိုးမှုနှင့် semiconductor ထုတ်လုပ်မှုများတို့တွင် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုများကို မီးမောင်းထိုးပြခဲ့သည်။
“Driving the Wave of AI Revolution: 3D Innovations in Memory & Storage Architecture” ဟု အမည်ပေးထားသော Samsung ၏ အဖွင့်မိန့်ခွန်းတွင် စနစ်စွမ်းဆောင်ရည်၊ ပါဝါထိရောက်မှုနှင့် အပူချိန်စီမံခန့်ခွဲမှုတို့ကို တိုးတက်စေရန် သုံးဖက်မြင်မှတ်ဉာဏ်ဖွဲ့စည်းပုံများကို အသုံးပြုခြင်းအပေါ် အာရုံစိုက်ခဲ့သည်။ Flash Product & Technology ၏ အမှုဆောင်ဒုတိယဥက္ကဋ္ဌနှင့် အကြီးအကဲ Jin-Yub Lee နှင့် DRAM ဒီဇိုင်းအဖွဲ့၏ ဒုတိယဥက္ကဋ္ဌနှင့် ပရောဂျက်ခေါင်းဆောင် Kyungryun Kim တို့သည် အနာဂတ်မှတ်ဉာဏ်ဗိသုကာများအတွက် ကုမ္ပဏီ၏ လမ်းပြမြေပုံကို ဆွေးနွေးခဲ့ကြသည်။
ကုမ္ပဏီသည် AI cloud server နှင့်ဆင်တူအောင် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသော ပြခန်းတစ်ခုတွင် နည်းပညာ ၃၀ ခန့်ကို ပြသခဲ့သည်။ အဓိက သရုပ်ပြမှုများတွင် zHBM နှင့် zNAND-O၊ V10 Bonding V-NAND၊ HBM4E၊ HBM5၊ LPDDR5X-PIM နှင့် PM1763 နှင့် BM1773 အပါအဝင် enterprise SSD platform များအတွက် concept မော်ဒယ်များ ပါဝင်သည်။
zHBM သည် AI Accelerator များအထက်ရှိ မှတ်ဉာဏ်ကို တိုက်ရိုက်ပေါင်းစပ်ထားသည်
Samsung က zHBM ကို အနာဂတ် high-bandwidth memory architecture အဖြစ် မိတ်ဆက်ခဲ့ပြီး AI accelerator ရဲ့ အထက်မှာ HBM ကို ဒေါင်လိုက်စီထားပါတယ်။ ဒါက HBM package တွေကို processor ဘေးမှာ ထားရှိထားတဲ့ ရိုးရာဒီဇိုင်းတွေနဲ့ ကွာခြားပါတယ်။
မှတ်ဉာဏ်ကို accelerator နှင့် ပိုမိုနီးကပ်စွာထားရှိခြင်းဖြင့် ဒေတာသွားရောက်ရမည့်အကွာအဝေးကို လျှော့ချပေးပါသည်။ ဤချဉ်းကပ်မှုသည် bandwidth တိုးမြှင့်ရန်၊ ပါဝါသုံးစွဲမှုကို လျှော့ချရန်နှင့် ကြီးမားသော AI လေ့ကျင့်မှုနှင့် ကောက်ချက်ချမှု၏ ဒေတာရွှေ့ပြောင်းမှုလိုအပ်ချက်များကို ပံ့ပိုးပေးရန် ရည်ရွယ်ကြောင်း Samsung က ပြောကြားခဲ့သည်။
ကုမ္ပဏီ၏ အဆိုအရ zHBM ကိုအသုံးပြုသော interface စနစ်သည် HBM5 ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ထက် ရှစ်ဆခန့် ပိုမိုပေးစွမ်းနိုင်သည်။ ဤဗိသုကာလက်ရာသည် HBM5 ၏ မှတ်ဉာဏ်သိပ်သည်းဆ ၁၀ ဆကျော်၊ စွမ်းအင်ထိရောက်မှု သုံးဆပိုမိုမြင့်မားပြီး အပူခံနိုင်ရည်ကို ၅၀% ကျော် လျှော့ချပေးမည်ဟု မျှော်လင့်ရသည်။
zHBM ကို ဖောက်သည်တစ်ဦးချင်းစီ၏ သီးသန့်ဖွဲ့စည်းမှုများကို ပံ့ပိုးပေးရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။ စိတ်ကြိုက်ဉာဏပစ္စည်းမူပိုင်ခွင့်ကို memory stack နှင့် AI accelerator အကြားရှိ interlayer ထဲသို့ ပေါင်းစပ်နိုင်သောကြောင့် စနစ်ဒီဇိုင်နာများသည် သတ်မှတ်ထားသော workloads များအတွက် စွမ်းရည်နှင့် accelerator လုပ်ဆောင်ချက်ကို စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်မည်ဖြစ်သည်။
zNAND-O သည် Edge AI Workloads များကို ပစ်မှတ်ထားသည်
Samsung က ကုမ္ပဏီရဲ့ V-NAND နည်းပညာကို အခြေခံထားတဲ့ မြင့်မားတဲ့စွမ်းဆောင်ရည်ရှိတဲ့ NAND သဘောတရားဖြစ်တဲ့ zNAND-O ကို မိတ်ဆက်ခဲ့ပါတယ်။ ဒီဗိသုကာပုံစံဟာ အလွှာလေးလွှာနဲ့ အလွှာရှစ်လွှာ ပုံစံတွေနဲ့ ထွက်ပေါ်လာပြီး နေရာလွတ်ထိရောက်မှု၊ I/O စွမ်းဆောင်ရည်နဲ့ latency တို့ကို မြှင့်တင်ပေးဖို့ ဒီဇိုင်းထုတ်ထားပါတယ်။
ကုမ္ပဏီသည် နှောင့်နှေးမှုအနည်းဆုံးဖြင့် ကြီးမားသောဒေတာစုများကို စီမံဆောင်ရွက်သည့် edge AI စနစ်များအတွက် zNAND-O ကို နေရာချထားခဲ့သည်။ ဒေသတွင်းသိုလှောင်မှုစွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ခြင်းဖြင့် ဗိသုကာလက်ရာသည် အချက်အလက်များကို ဗဟိုဒေတာစင်တာသို့ အမြဲတမ်း စီမံဆောင်ရွက်ရန် လွှဲပြောင်း၍မရသည့် အချိန်နှင့်တပြေးညီ အပလီကေးရှင်းများကို ပံ့ပိုးပေးနိုင်သည်။
V10 BV-NAND သည် အလွှာ ၄၀၀ ထက်ကျော်လွန်၍ ရွေ့လျားသွားသည်
Samsung က V10 BV-NAND ကို မိတ်ဆက်ခဲ့ပြီး၊ ၎င်းဟာ wafer bonding နည်းပညာကို အသုံးပြုပြီး memory cell တွေကို stack လုပ်တဲ့ Bonding V-NAND architecture တစ်ခုဖြစ်ပြီး လုပ်ငန်းနယ်ပယ်မှာ ပထမဆုံးအကြိမ်အဖြစ် မိတ်ဆက်ခဲ့ပါတယ်။ ဒီ architecture ဟာ layer ၄၀၀ ကျော်ကို stack လုပ်ထားပြီး Samsung က သူ့ရဲ့ V-NAND line အတွက် ထုတ်ဖော်ပြသခဲ့တဲ့ အမြင့်ဆုံး စွမ်းဆောင်ရည်ပဲ ဖြစ်ပါတယ်။
Samsung က V10 BV-NAND ဟာ V9 နဲ့ နှိုင်းယှဉ်ရင် မှတ်ဉာဏ်သိပ်သည်းဆကို ၅၈% ခန့် တိုးမြှင့်ပေးတယ်လို့ ပြောပါတယ်။ စွမ်းရည် တိုးမြှင့်ပေးရုံသာမက ဖတ်ရှုခြင်း၊ ရေးသားခြင်းနဲ့ I/O စွမ်းဆောင်ရည်ကို တိုးတက်ကောင်းမွန်အောင် လုပ်ဆောင်ပေးရင်း စွမ်းအင်သုံးစွဲမှုကို လျှော့ချပေးဖို့ ရည်ရွယ်ပါတယ်။
၂၀၁၃ ခုနှစ် Flash Memory Summit တွင် Samsung သည် လုပ်ငန်းနယ်ပယ်၏ ပထမဆုံး V-NAND နည်းပညာကို မိတ်ဆက်ပြီး ၁၃ နှစ်အကြာတွင် ယခုကြေညာချက် ထွက်ပေါ်လာခြင်းဖြစ်သည်။ ကုမ္ပဏီသည် အနာဂတ် AI စနစ်များနှင့် အခြားဒေတာအသုံးပြုမှုများသော အပလီကေးရှင်းများတွင် မြင့်မားသော စွမ်းရည်၊ မြင့်မားသော စွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော သိုလှောင်မှုအတွက် V10 BV-NAND ကို ပစ်မှတ်ထားလျက်ရှိသည်။
HBM4E၊ HBM5 နှင့် LPDDR5X-PIM တို့သည် AI မှတ်ဉာဏ်အစုစုကို တိုးချဲ့သည်
Samsung သည် နောက်မျိုးဆက် AI အရှိန်မြှင့်စက်များအတွက် ၎င်း၏ လမ်းပြမြေပုံ၏ တစ်စိတ်တစ်ပိုင်းအဖြစ် HBM4E နမူနာများနှင့် HBM5 မော်ဒယ်ကို တင်ပြခဲ့သည်။ ကုမ္ပဏီသည် ဖေဖော်ဝါရီလတွင် ၎င်း၏ 1c DRAM နှင့် 4 nm base die နည်းပညာများဖြင့် တည်ဆောက်ထားသော HBM4 ၏ လုပ်ငန်းနယ်ပယ်တွင် ပထမဆုံး အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်မှုကို စတင်ခဲ့ပြီး မေလတွင် ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ ဖောက်သည်များထံ HBM4E နမူနာများကို ပထမဆုံး တင်ပို့သည့် ကုမ္ပဏီ ဖြစ်လာခဲ့သည်။
ကုမ္ပဏီသည် processing-in-memory နည်းပညာပါရှိသော လုပ်ငန်းနယ်ပယ်၏ ပထမဆုံး LPDDR မှတ်ဉာဏ်အဖြစ် ဖော်ပြသည့် LPDDR5X-PIM ကိုလည်း သရုပ်ပြခဲ့သည်။ ဒီဇိုင်းသည် မှတ်ဉာဏ်အတွင်း ရွေးချယ်ထားသော ဒေတာလုပ်ဆောင်ခြင်း လုပ်ငန်းများကို လုပ်ဆောင်ပြီး မှတ်ဉာဏ်နှင့် ပရိုဆက်ဆာအကြား ဒေတာရွေ့လျားမှုကို လျှော့ချပေးသည်။ ၎င်းသည် သင့်လျော်သော workloads များအတွက် စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးပြီး ပါဝါသုံးစွဲမှုကို လျှော့ချပေးနိုင်သည်။
Samsung ရဲ့ enterprise storage သရုပ်ပြမှုတွေမှာ ဇူလိုင်လမှာ အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်ခဲ့တဲ့ PCIe Gen6 PM1763 နဲ့ BM1773 နှစ်မျိုးစလုံး ပါဝင်ပြီး AI data center တွေရဲ့ တိုးပွားလာနေတဲ့ storage လိုအပ်ချက်တွေကို ပံ့ပိုးပေးဖို့ ရည်ရွယ်ထားပါတယ်။ ဒီထုတ်ကုန်တွေဟာ AI training data၊ model repositories နဲ့ inference workloads တွေနဲ့ ဆက်စပ်နေတဲ့ မြင့်မားတဲ့ capacity နဲ့ performance လိုအပ်ချက်တွေကို ဖြေရှင်းပေးခြင်းအားဖြင့် ကုမ္ပဏီရဲ့ memory roadmap ကို ဖြည့်စွက်ပေးပါတယ်။
Samsung သည် ပေါင်းစပ် AI အခြေခံအဆောက်အအုံ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကို မြှင့်တင်ပေးသည်
Samsung သည် မှတ်ဉာဏ်၊ ဖောင်ဒရီနှင့် အဆင့်မြင့်ထုပ်ပိုးမှုတို့ကို လွှမ်းခြုံထားသော စွမ်းရည်များပါရှိသော တစ်ခုတည်းသော ပေါင်းစပ်စက်ပစ္စည်းထုတ်လုပ်သူအဖြစ် မိမိကိုယ်ကိုယ် နေရာယူထားပြီး AI semiconductor ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက် တစ်နေရာတည်းတွင် ပေါင်းစပ်ထားသော ပလက်ဖောင်းတစ်ခုအဖြစ် ඉදිරියටත්ခဲ့သည်။ ပေါင်းစပ်မော်ဒယ်တွင် ထုတ်ကုန်ဒီဇိုင်း၊ semiconductor ထုတ်လုပ်ခြင်း၊ ထုပ်ပိုးခြင်းနှင့် အစုလိုက်အပြုံလိုက်ထုတ်လုပ်မှုတို့ ပါဝင်သည်။
ဒီချဉ်းကပ်မှုဟာ ဒီဇိုင်းနဲ့ ထုတ်လုပ်မှုကြား ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအဆင့်တွေကို လျှော့ချဖို့ ရည်ရွယ်ပြီး မှတ်ဉာဏ်၊ လုပ်ငန်းစဉ်နဲ့ ထုပ်ပိုးမှုနည်းပညာတွေကြား ပိုမိုနီးကပ်စွာ ပေါင်းစပ်ညှိနှိုင်းဆောင်ရွက်နိုင်အောင် လုပ်ဆောင်ပေးပါတယ်။ ဒါက ဖောက်သည်တွေကို ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုစက်ဝန်းတွေကို တိုတောင်းစေပြီး အထူးပြု AI စနစ်တွေအတွက် စွမ်းဆောင်ရည်နဲ့ ပါဝါထိရောက်မှုကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် ကူညီပေးနိုင်တယ်လို့ Samsung က ပြောပါတယ်။
အမေဇုံ