Micron 6550 ION SSD: Gen5 စွမ်းဆောင်ရည်၊ စွမ်းအင်ထိရောက်မှုနှင့် Drive တစ်ခုတည်းတွင် မြင့်မားသောစွမ်းရည်

ယနေ့တွင် Micron သည် 6550 ION SSD အသစ်ကို မိတ်ဆက်ခဲ့ပြီး “ကမ္ဘာ့အမြန်ဆုံးနှင့် စွမ်းအင်အသက်သာဆုံး 60TB ဒေတာစင်တာ SSD” အဖြစ် သတ်မှတ်ခဲ့သည်။ ပုံစံအမျိုးမျိုးဖြင့် ရရှိနိုင်သော E3.S drive သည် အောင်မြင်မှုတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် z-height တွင် 7.5mm သာရှိသော်လည်း Gen5 interface နှင့် တွဲဖက်ထားသော G8 61.44TB TLC NAND ကို အသုံးပြု၍ လုပ်ငန်းနယ်ပယ်တွင် ဦးဆောင်နေသော drive စွမ်းရည်ကို ပေးဆောင်သည်။ ဤပေါင်းစပ်မှုသည် အလွန်သိပ်သည်းဆ၊ တတ်နိုင်သောစျေးနှုန်းနှင့် မြန်ဆန်သော SSD သိုလှောင်မှု လိုအပ်သည့် အရေးကြီးသော လုပ်ငန်းဆိုင်ရာစိန်ခေါ်မှုများကို ဖြေရှင်းပေးသည်။

Micron 6550 ION သည် ၎င်း၏ရှေ့ပြေး 6500 ION ထက် ကြီးမားသောစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် စွမ်းရည်အကျိုးကျေးဇူးများကို ပေးစွမ်းသည် ။ ၎င်း၏ဆက်ခံသူ QLC-based 6600 ION သည် ထိုအချိန်မှစ၍ 245.76TB အထိရောက်ရှိခဲ့ပြီး hard drive များနှင့် ပါဝါနှိုင်းယှဉ်ချက်က ION စွမ်းဆောင်ရည်ဆိုင်ရာငြင်းခုံမှု၏ အခြေအနေကို ပြသသည်။ ၎င်းသည် PCIe Gen5 စံနှုန်းများကို လိုက်နာပြီး OCP 2.5 မှတစ်ဆင့် အနာဂတ်အတွက် ခံနိုင်ရည်ရှိသောစွမ်းရည်များကို ထည့်သွင်းထားသည်။ Micron သည် 6550 ION တွင် လုံခြုံရေးကို ဦးစားပေးထားပြီး TAA နှင့် FIPS 140-3 L2 အသိအမှတ်ပြုလက်မှတ်နှင့် ပြည့်စုံသောလုံခြုံရေးအစုံကို သေချာစေသည်။

TLC-based Micron 6550 ION ကို မထုတ်လုပ်ခင်မှာ ထုတ်လုပ်သူတွေဟာ 61.44TB စွမ်းရည်အမှတ်ကို ရောက်ရှိဖို့ QLC NAND ကို အသုံးပြုဖို့ လိုအပ်ပါတယ်။ Gen5 interface အသစ်အပြင် G8 TLC NAND ဟာ QLC NAND ထက် write performance၊ energy efficiency နဲ့ endurance ပိုမိုကောင်းမွန်ပါတယ်။ performance ရှုထောင့်ကနေကြည့်ရင် drive ဟာ 20W အများဆုံးကိုသာ အသုံးပြုပြီး 12GB/s sequential read speeds နဲ့ 5GB/s sequential write speeds တွေကို ရရှိပါတယ်။ ဒီကိန်းဂဏန်းတွေက ပြိုင်ဘက်တွေထက် 179% အထိ သာလွန်တဲ့ read throughput နဲ့ 150% အထိ မြှင့်တင်ထားတဲ့ write throughput ကို ဖော်ပြပေးလိုက်ပါတယ်။ write speed နဲ့ပတ်သက်လို့ 61.44TB Micron 6550 ION ရဲ့ fill rate ဟာ 3.4 နာရီသာ ရှိပါတယ်။ ထို့အပြင် Micron 6550 ION ဟာ 4K random reads မှာ 1.6M IOPS အထိ ရောက်ရှိပြီး လက်ရှိပြိုင်ဘက်တွေထက် 80% အထိ ပိုမြန်တဲ့ အထင်ကြီးလောက်စရာ throughput စွမ်းရည်တွေကို ပြသထားပါတယ်။

E3.S form factor ရဲ့ density gains တွေကြောင့် ကျွန်တော်တို့ စိတ်အားထက်သန်နေပေမယ့် Micron က E1.L နဲ့ U.2 form factor တွေမှာ 6550 ION ကို ပေးစွမ်းနိုင်တယ်ဆိုတာကို ထောက်ပြသင့်ပါတယ်။ ဒါကြောင့် မိသားစုအတွင်းက feature set ဒါမှမဟုတ် performance capabilities တွေကို လျှော့တွက်စရာမလိုဘဲ platform အမျိုးမျိုးကို support လုပ်နိုင်ပါတယ်။

Gen5: စွမ်းရည်မြင့် NVMe SSD များအတွက် ပထမဆုံး

Micron 6550 ION SSD မိသားစုမှာ နှစ်သက်စရာတွေ အများကြီးရှိပါတယ်။ အရေးကြီးဆုံးကတော့ ဈေးကွက်ထဲ ရောက်လာတဲ့ အမြင့်ဆုံးစွမ်းရည် Gen5 drive ပါပဲ။ PCIe Gen5 ဟာ PCIe Gen4 ထက် သိသာထင်ရှားတဲ့ တိုးတက်မှုတွေကို ပေးစွမ်းနိုင်ပြီး အဓိကအားဖြင့် bandwidth၊ data transfer speed နဲ့ energy efficiency တို့ဖြစ်ပြီး ခေတ်မီ data-intensive application တွေရဲ့ တိုးပွားလာနေတဲ့ လိုအပ်ချက်တွေကို ဖြည့်ဆည်းပေးမယ့် အဓိကတိုးတက်မှုတွေ ဖြစ်ပါတယ်။

အလုံးစုံသော် PCIe Gen5 သည် Gen4 ထက် သိသာထင်ရှားသော စွမ်းဆောင်ရည်၊ အမြန်နှုန်း၊ ထိရောက်မှုနှင့် တိုးချဲ့နိုင်မှု အကျိုးကျေးဇူးများကို ယူဆောင်လာပါသည်။ ၎င်းသည် အဆင့်မြင့်ဒေတာစင်တာလိုအပ်ချက်များနှင့် မြန်ဆန်သောဒေတာစီးဆင်းမှုနှင့် latency နည်းပါးမှုတို့ မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော ကွန်ပျူတာများအတွက် အထူးသင့်လျော်ပါသည် - အထူးသဖြင့် ဖတ်ရှုရန်များပြားလေ့ရှိသော workloads အများစုအတွက်။ ၎င်းသည် ပထမဆုံးသော မြင့်မားသောစွမ်းရည်ရှိသော PCIe Gen5 drive ဖြစ်သောကြောင့် Micron 6550 ION သည် PCIe Gen4 တွင် လည်ပတ်နေဆဲဖြစ်သော ပြိုင်ဘက်မော်ဒယ်များထက် သိသာထင်ရှားသော အားသာချက်ရှိသည်။

စွမ်းအင်ထိရောက်

ဒေတာစင်တာများရှိ SSD များ၏တန်ဖိုးတွင် စွမ်းအင်ထိရောက်မှုသည် အရေးပါသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပြီး Micron 6550 ION သည် အထင်ကြီးစရာကောင်းပါသည်။ SSD များသည် စွမ်းအင်သုံးစွဲမှုနည်းပါးပြီး အပူထုတ်လုပ်မှုနည်းပါးသောကြောင့် စွမ်းအင်သုံးစွဲမှုနှင့် အအေးပေးစနစ်လိုအပ်ချက်များကို လျှော့ချပေးပါသည်။ ၎င်းသည် ကုန်ကျစရိတ်များစွာ သက်သာစေပြီး ကာဗွန်ထုတ်လွှတ်မှုနည်းပါးစေပြီး ရေရှည်တည်တံ့ခိုင်မြဲမှုရည်မှန်းချက်များနှင့် ကိုက်ညီပါသည်။ 60TB စွမ်းအင်ထိရောက်မှုတွင် အကောင်းဆုံးဟု သတ်မှတ်ခံထားရသည့် Micron 6550 ION သည် ပြိုင်ဘက်များထက် စွမ်းအင်အသုံးပြုမှု ၂၀% အထိ လျော့နည်းစေပြီး စွမ်းဆောင်ရည်လည်း သိသိသာသာ ပိုမိုကောင်းမွန်ပါသည်။

NVMe drives များသည် စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ပါဝါသုံးစွဲမှုကို ဟန်ချက်ညီစေသည့် operational power states များစွာကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ Micron သည် Power State 1 (PS1) တွင် စမ်းသပ်မှုအားလုံးကို ပြုလုပ်ခဲ့ပြီး၊ drive ကို အများဆုံး 25w အစား 20w အထိ ကန့်သတ်ထားသည်။ drives များသည် L1 ASPM (Active State Power Management) ကိုလည်း ပံ့ပိုးပေးသောကြောင့် idle power သုံးစွဲမှုကို ပိုမိုလျှော့ချပေးပါသည်။

Micron 6550 ION ရဲ့ ပါဝါ/စွမ်းဆောင်ရည် စံနှုန်းတွေက အထင်ကြီးစရာပါပဲ။ Micron 6550 ION မှာ ပြိုင်ဘက်တွေထက် ၁၇၉% အထိ ပိုကောင်းတဲ့ 600MB/s/W ဖတ်ရှုမှုနဲ့ 250MB/s/W ဆက်တိုက်ရေးသားမှုတွေ ပါဝင်ပြီး ပြိုင်ဘက်တွေထက် ၂၁၃% သာလွန်ပါတယ်။ ကျပန်းဖတ်ရှုမှု (80KIOPS/W) နဲ့ ရေးသားမှု (3.5KIOPS/W) တွေကလည်း အလားတူ အံ့မခန်းပါပဲ။ ပြိုင်ဘက်တွေက ၉၉% နဲ့ ၁၄၁% အထိ အသီးသီး နောက်ကျနေပါတယ်။

SSD များ၏ စွမ်းအင်ထိရောက်မှုကို မြှင့်တင်ခြင်းဖြင့် ဒေတာစင်တာများသည် လည်ပတ်မှုကုန်ကျစရိတ်များကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် လုပ်ဆောင်နေစဉ်တွင် မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်ကို ထိန်းသိမ်းထားနိုင်သည်။

Micron 6550 ION SSD ဒရိုက်ဒီဇိုင်း

Micron 6550 ION SSD သည် ပထမဆုံး 61.44TB E3.S-1T SSD ဖြစ်ပြီး U.2 61.44TB SSD များထက် rack တစ်ခုလျှင် 67% အထိ ပိုမိုသိမ်းဆည်းနိုင်သည်။ လက်ရှိ မြင့်မားသော စွမ်းရည်ရှိသော enterprise SSD များအတွက် 7.5mm E3.S-1T အထူသည် ယခုအချိန်အထိ ရှားပါးနေဆဲဖြစ်သည်။ အများစုမှာ E1.L သို့မဟုတ် U.2 form factor တွင်ရှိပြီး NAND ချစ်ပ်များနှင့် အခြားအစိတ်အပိုင်းများအတွက် အတွင်းပိုင်းမျက်နှာပြင်ဧရိယာ ပိုမိုပေးစွမ်းသည်။ ယှဉ်ပြိုင်နေသော drive အချို့အတွက် 15mm U.2 ပုံသဏ္ဍာန်တွင် အတွင်းပိုင်းချိတ်ဆက်ထားသော twin PCB layout ပါဝင်ပြီး circuit board တစ်ခုတည်း၏ မျက်နှာပြင်ဧရိယာ နှစ်ဆပေးစွမ်းသည်။ အပိုအထူကို အသုံးချနိုင်သည့်အခါ ၎င်းသည် အလုပ်ဖြစ်ခဲ့သော်လည်း ၎င်းကို ပိုမိုပါးလွှာသော SSD အရွယ်အစားများအဖြစ် ပြောင်းလဲ၍မရပါ။

E3.S form factor မှာ ပိုကြီးတဲ့ သိပ်သည်းဆတွေ ရရှိဖို့ ခက်ခဲတာက အဓိက စိန်ခေါ်မှု အနည်းငယ်ကြောင့်ပါ-

• ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ နေရာကန့်သတ်ချက်များ: E3.S ပုံစံအချက်ကို ရိုးရာ ၂.၅ လက်မ drive များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ပိုမိုကောင်းမွန်သော လေစီးဆင်းမှုနှင့် အပူချိန်စီမံခန့်ခွဲမှုအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် ပြုလုပ်ထားသည်။ E3.S အတွက် အတွင်းပိုင်းနေရာသည် အကန့်အသတ်ရှိသည်။ ထို့ကြောင့် အပူစီမံခန့်ခွဲမှု သို့မဟုတ် စွမ်းဆောင်ရည်ကို မထိခိုက်စေဘဲ NAND flash package များနှင့် လိုအပ်သော ထိန်းချုပ်မှု ဆားကစ်များကို ပိုမိုတပ်ဆင်ခြင်းသည် ခက်ခဲစေသည်။
• အပူစီမံခန့်ခွဲမှုသိပ်သည်းဆမြင့်မားသော SSD များသည် အပူပိုမိုထုတ်ပေးသောကြောင့် ကျစ်လစ်သောပုံစံတွင် အပူပျံ့နှံ့ရန် ခက်ခဲစေသည်။ ထိရောက်သောအပူပျံ့နှံ့မှုသည် စွမ်းဆောင်ရည်ကို ထိန်းသိမ်းရန်နှင့် ထိန်းချုပ်မှုလျှော့ချခြင်းကို ရှောင်ရှားရန်အတွက် အရေးကြီးသောကြောင့် သိပ်သည်းဆနှင့် အပူဖြေရှင်းချက်များကို ဟန်ချက်ညီအောင်ထိန်းညှိခြင်းသည် သိသာထင်ရှားသောစိန်ခေါ်မှုတစ်ခုဖြစ်သည်။
• Power Consumptionစွမ်းရည်တိုးလာသည်နှင့်အမျှ ပါဝါလိုအပ်ချက်များလည်း တိုးလာနိုင်သည်။ ဒေတာစင်တာရက်ကက်များအတွက် လက်ခံနိုင်သော ပါဝါနှင့် အအေးပေးကန့်သတ်ချက်များအတွင်း ရှိနေစဉ် မြင့်မားသောစွမ်းရည်ကို ပံ့ပိုးပေးနိုင်သည့် E3.S drive တစ်ခုကို ဒီဇိုင်းဆွဲခြင်းသည် ရှုပ်ထွေးနိုင်ပါသည်။

E3.S drive သည် ၎င်း၏ စွမ်းရည်နှင့် ပါးလွှာသော ကိုယ်ထည်ကြောင့် ထင်ရှားသော်လည်း Micron မှ E1.L နှင့် U.2 drive များကို ပေးဆောင်ပါသည်။ ဤပုံစံအချက်များသည် Micron ၏ addressable ဈေးကွက်ကို သိသိသာသာ တိုးချဲ့ပေးပြီး U.2 bays ပါရှိသော ရိုးရာ enterprise server များနှင့် E1.L ပါရှိသော hyperscalers များကို ဝန်ဆောင်မှုပေးပါသည်။ drive အားလုံးတွင် Micron DRAM၊ NAND၊ controller နှင့် in-house firmware stack တို့ပါဝင်သော vertical integrated design ပါရှိသည်။

 

Micron 6550 ION SSD သတ်မှတ်ချက်များ

လက္ခဏာ	အသေးစိတ်
နည်းပညာ	Micron G8 TLC NAND | PCIe Gen5 1×4 NVMe(v2.0b)
အချက်များ	E3.S-1T (၇.၅ မီလီမီတာ)၊ U.2 (၁၅ မီလီမီတာ)၊ E1.L (၉.၅ မီလီမီတာ)
စွမ်းရည်	30.72TB – 61.44TB (SKU အားလုံးအတွက် စွမ်းဆောင်ရည်သတ်မှတ်ချက်များ အတူတူပင်)
128K Seq Reads၊ QD128	12,000 MB / s
128K Seq ရေးသားမှုများ၊ QD128	5,000 MB / s
4K ကျပန်းဖတ်ရှုမှုများ၊ QD512	1,600,000 IOPS
4K ကျပန်းရေးသားမှုများ၊ QD128	70,000 IOPS
ခံနိုင်ရည် (၅ နှစ်အာမခံအတွက်)	၁ SDWPD (၁၀၀% ၁၂၈KB အစဉ်လိုက်ရေးသားမှု) ၁ RDWPD (၁၀၀% ၁၆KB ကျပန်းရေးသားမှု) ၀.၂၅ RDWPD (၁၀၀% ၄KB ကျပန်းရေးသားမှု)
စွမ်းအား	20W သည် စွမ်းဆောင်ရည်အဆင့်များကို မှတ်တမ်းတင်ထားသည် 25W သည် ဖော်ပြထားသော စွမ်းဆောင်ရည်အဆင့်ထက် ကျော်လွန်ပါသည် ≤5W အားလပ်ချိန်
ယုံကြည်စိတ်ချရသော (UBER = ပြင်ဆင်၍မရသော bit error rate)	ဓာတ်အားဆုံးရှုံးမှုကာကွယ်မှု ၂.၅ သန်း နာရီ MTTF UBER ဖတ်ရှုသည့် ဘစ် ၁၀^၁၇ လျှင် ကဏ္ဍ ၁ ခုထက်နည်း ၄၀ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင် ဒေတာသိမ်းဆည်းထားနိုင်မှု ၃ လ (EOL တွင် ပါဝါပိတ်သည်)
အင်္ဂါရပ်များ	OCP ၂.၅၊ NVMe-MI ၁.၂c။ L1-ASPM သည် အားလပ်ချိန် ၂၀% လျော့နည်းစေသည် (၄ ဝပ် vs ၅ ဝပ်) SRIS၊ SGL များ၊ PCIe လမ်းကြောင်းပြောင်းပြန်မှုများ၊ NVMe ပါဝါအခြေအနေများ။ SPDM 1.2၊ SHA-512၊ SED၊ FIPS၊ TAA နှင့် အခြားအရာများ
အာမခံချက်	5 အနှစ်

Micron 6550 ION ပေါင်းစပ်စွမ်းဆောင်ရည် အတည်ပြုခြင်း

StorageReview Lab မှာ Micron 6550 ION နဲ့ U.2 ဗားရှင်း drive ကို Dell PowerEdge R760 စမ်းသပ် platform ထဲမှာ စမ်းသပ်ထားပါတယ်။ Micron မှာ သူတို့ရဲ့ lab မှာ တိုင်းတာခဲ့တဲ့ ကိန်းဂဏန်းတွေကို ထည့်သွင်းထားပြီး ဒီပမာဏမှာ ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် ရောင်းချနေတဲ့ တစ်ခုတည်းသော SSD ဖြစ်တဲ့ QLC-based Solidigm P5336 61.44TB SSD နဲ့အတူ စမ်းသပ်မှုမှာ အတည်ပြုနိုင်ခဲ့ပါတယ်။

Micron 6550 ION မှာ ကျွန်တော်တို့ လုပ်ဆောင်ခဲ့တဲ့ စွမ်းဆောင်ရည် အတည်ပြုချက်နဲ့အတူ Micron 6550 ION ရဲ့ ပါဝါသုံးစွဲမှုကို ကန့်သတ်ဖို့ ပါဝါအခြေအနေတွေကို စမ်းသပ်ခဲ့ပါတယ်။ NVMe စက်ပစ္စည်းအားလုံးကို ကန့်သတ်ချက်မရှိ လည်ပတ်နိုင်ပေမယ့် (ပါဝါ 25W အထိ သုံးစွဲပါတယ်)၊ NVMe SSD တွေက ပါဝါသုံးစွဲမှုကို ချွေတာဖို့အတွက် အမြင့်ဆုံးအသုံးပြုမှုကို လျှော့ချပေးပါတယ်။ ပါဝါလျှော့ချခြင်းက drive အချို့ရဲ့ စွမ်းဆောင်ရည်ကို သိသိသာသာ ထိခိုက်စေနိုင်ပေမယ့် Micron 6550 ION ကို ပါဝါသုံးစွဲမှု နည်းပါးအောင် အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် ပြုလုပ်ထားပြီး ဒေတာစင်တာ စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပါဝါအဖုံးငယ်အတွင်းမှာပဲ ပေးစွမ်းပါတယ်။

စွမ်းဆောင်ရည်စမ်းသပ်မှုတွေမစခင်မှာ Micron 6550 ION ကို PS1 mode မှာထားပြီး Solidigm P5335 ကို PS0 mode ဒါမှမဟုတ် unrestricted မှာထားခဲ့ပါတယ်။ Micron 6550 ION က power state ရှစ်ခု (PS0 မှ PS7) ကို support လုပ်ပါတယ်၊ အမြင့်ဆုံး 25W ကနေ အောက်ခြေမှာ 10W အထိရှိပါတယ်။ PS1 က ဒီ SSD ရဲ့ အမြင့်ဆုံး power draw ကို 20W လို့သတ်မှတ်ထားပါတယ်။ နှိုင်းယှဉ်ကြည့်မယ်ဆိုရင် Solidigm P5336 က power state သုံးခု (PS0 မှ PS2) ကို support လုပ်ပါတယ်၊ အမြင့်ဆုံး 25W ကနေ 10W အထိကို 5-10W စီနဲ့ ပေးပါတယ်။

ဤစွမ်းဆောင်ရည်နှိုင်းယှဉ်မှုအတွက် SSD တစ်ခုစီကို 128K sequential precondition workload မှတစ်ဆင့် ထည့်သွင်းခဲ့ပြီး drive များကို နှစ်ကြိမ်ဖြည့်ခဲ့သည်။ precondition ပြီးဆုံးသွားသောအခါ၊ preconditioned state တွင်ရှိနေစဉ် drive များကို 128K sequential read နှင့် write စွမ်းဆောင်ရည်အတွက် စမ်းသပ်ခဲ့သည်။ ထို့နောက် workload ကို drive နှစ်ကြိမ်ဖြည့်ရန် 16K random precondition သို့ပြောင်းခဲ့ပြီး ကျန် 16K read နှင့် write စမ်းသပ်မှုများကို ပြီးမြောက်ခဲ့သည်။

ပိတ်ထားသောအရွယ်အစား	စစ်ဆင်ရေး	ပါဝါအခြေအနေ PS1 တွင် မိုက်ခရွန်ပျမ်းမျှပါဝါဆွဲအား	FIO Workload Thread/Queue	မျှော်မှန်းထားသော Micron 6550 ION စွမ်းဆောင်ရည်	တိုင်းတာထားသော မိုက်ခရွန် ၆၅၅၀ အိုင်းယွန်း စွမ်းဆောင်ရည်	တိုင်းတာထားသော Solidigm P5336 စွမ်းဆောင်ရည်
16KB	ကျပန်းဖတ်	17.9 ဒဗလျူ	၈ တန်/၃၂ ကွက်	IOP ၇၀,၀၀၀ ကျော် > ၅ GB/s	11.6GB / s နဲ့ IOP ၅၁.၉k	7.4GB / s နဲ့ IOP ၅၁.၉k
16KB	ကျပန်း Write	17.5 ဒဗလျူ	၈ တန်/၃၂ ကွက်	IOP ၇၀,၀၀၀ ကျော် > ၅ GB/s	1.4GB / s နဲ့ IOP ၅၁.၉k	850MB / s နဲ့ IOP ၅၁.၉k
128KB	sequential ဖတ်	17.5 ဒဗလျူ	၈ တန်/၃၂ ကွက်	> ၅ GB/s	12.7GB / s နဲ့	7.5GB / s နဲ့
128KB	sequential Write	17.5 ဒဗလျူ	၈ တန်/၃၂ ကွက်	> ၅ GB/s	8.2GB / s နဲ့	3.2GB / s နဲ့

ကျွန်ုပ်တို့၏ဓာတ်ခွဲခန်းရှိ Micron 6550 ION သည် ကိုးကားထားသော Micron 6550 ION စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ကိုက်ညီမှုကို ထိန်းသိမ်းထားနိုင်ပြီး အချို့ကိစ္စများတွင် Micron ၏ သတ်မှတ်ချက်စာရွက်ထက် ကျော်လွန်ခဲ့သည်။

ကျွန်ုပ်တို့၏ 16K random read workload တွင်၊ Solidigm P5536 မှ 7.4GB/s နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက Micron 6550 ION သည် 11.6GB/s ကို ထိန်းသိမ်းထားနိုင်ခဲ့သည်။ 16K random write workload တွင် steady-state တွင် Micron 6550 ION သည် 1.4GB/s ကို ပေးစွမ်းနိုင်ပြီး P5336 မှ 850MB/s ထက် သာလွန်သည်။ 128K sequential read workload သို့ ရွေ့လျားသွားသောအခါ၊ Micron 6550 ION သည် Solidigm P5336 မှ 7.5GB/s နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက 12.7GB/s ကို တိုင်းတာခဲ့သည်။ 128K sequential write သို့ ပြောင်းလဲလိုက်သောအခါ၊ Micron 6550 ION သည် 8.2GB/s နှင့် Solidigm P5336 မှ 3.2GB/s ရှိသည်။

Solidigm P5336 နဲ့ နှိုင်းယှဉ်ကြည့်မယ်ဆိုရင် Micron 6550 ION ရဲ့ Gen5 interface အသစ်ဟာ P5336 ရဲ့ Gen4 interface ထက် သာလွန်ကောင်းမွန်နေတဲ့ နေရာတော်တော်များများကို ကျွန်တော်တို့ သတိပြုမိခဲ့ပါတယ်။ Gen4 နဲ့ Gen5 drives တွေရဲ့ ကွာခြားချက်ကတော့ drive တစ်ခုစီက wire ကို ဖြတ်ပြီး bandwidth ဘယ်လောက်ထိ တွန်းပို့နိုင်မလဲဆိုတာနဲ့ သက်ဆိုင်ပါတယ်။ ချိတ်ဆက်မှုလမ်းကြောင်းလေးခုပါတဲ့ Gen4 PCIe interface ဟာ 7GB/s ဝန်းကျင်ရှိပြီး Gen5 PCI interface အသစ်ကတော့ 14GB/s နဲ့ နှစ်ဆတိုးလာပါတယ်။ Micron ရဲ့ TLC NAND အသုံးပြုမှုက QLC-based ပြိုင်ဘက်တွေထက် ဒီဇိုင်းအားသာချက်တစ်ခု ထပ်ပေးပါတယ်။

Micron 6550 ION AI လုပ်ငန်းပမာဏ စွမ်းဆောင်ရည်

AI workloads များသည် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်ဆာဗာများနှင့် သာလွန်ကောင်းမွန်သော စွမ်းအင်ထိရောက်မှုကို တောင်းဆိုခြင်းဖြင့် administrator များအပေါ် ဖိအားများဖြစ်စေခဲ့သည်။ Micron သည် 6550 ION ကို Solidigm P5336 နှင့် ယှဉ်၍ ၎င်း၏စွမ်းရည်များကို ပြသခဲ့သည်- NVIDIA(R) Magnum IO(TM)၊ Unet3D လေ့ကျင့်မှုနှင့် ဖမ်းယူမှုနှင့် AI မော်ဒယ်စစ်ဆေးရေးစနစ်။ GPUDirect Storage (GDS) စမ်းသပ်မှုများသည် CPU မှတ်ဉာဏ်ကိုကျော်ဖြတ်ခြင်းဖြင့် storage နှင့် GPU များအကြား တိုက်ရိုက်ဒေတာလွှဲပြောင်းခြင်းကို ပြုလုပ်နိုင်စေပြီး ဒေတာရွေ့လျားမှု overhead နှင့် latency ကို လျှော့ချပေးသည်။

ကောက်ချက်

Gen5 enterprise SSD များသို့ ရွှေ့ပြောင်းခြင်းသည် server ဒီဇိုင်နာများအား သိုလှောင်မှုနှင့် ပတ်သက်၍ ယခင်ကထက် ပိုမိုပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ရှိစေခဲ့သည်။ E3.S form factor သည် အလွန်အမင်း drive သိပ်သည်းဆသို့ တံခါးဖွင့်ပေးခဲ့သည်။ E3.S ဖြင့် စံ 1U server များသည် E3.S SSD ၂၀ လုံး သိမ်းဆည်းထားနိုင်ပြီး U.2 drive ၈-၁၀ ခုနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက သိမ်းဆည်းထားနိုင်သည်။ 2U server များသည်လည်း အလားတူအားသာချက်များကို ရရှိကြပြီး U.2 စနစ်တွင် ၂၄ ခုနှင့် E3.S SSD ၃၂ ခု (သို့မဟုတ် ထို့ထက်ပို) အထိ ထောက်ပံ့ပေးသည်။ စိတ်ဝင်စားစရာကောင်းသည်မှာ Dell Technologies ကဲ့သို့သော server ရောင်းချသူအချို့သည် Gen5 သိုလှောင်မှုအတွက် ၎င်းတို့၏တစ်ခုတည်းသောရွေးချယ်မှုအဖြစ် E3.S ကို ရွေးချယ်ခဲ့ကြပြီး E3.S SSD ဂေဟစနစ်၏ တိုးတက်မှုကို အရေးပါစေခဲ့သည်။

 

ကျွန်ုပ်တို့ရဲ့ အစောပိုင်းစွမ်းဆောင်ရည်စမ်းသပ်မှုမှာ 6550 ION မှာ Micron ရဲ့ စွမ်းဆောင်ရည်ပြောဆိုချက်တွေကို အတည်ပြုခဲ့ပါတယ်။ 6550 ION မိတ်ဆက်ပွဲရဲ့ အရေးကြီးတဲ့အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုကတော့ ၎င်းရဲ့ power-to-performance profile ပါ။ Micron 6550 ION ကို PS1 (သို့မဟုတ် အများဆုံး 20W) အထိ ကန့်သတ်ထားပြီး Solidigm P5336 နဲ့ ယှဉ်ရင် 16K random နဲ့ 128K sequential workloads တွေကို လုပ်ဆောင်ခဲ့ပြီး ဘယ်လိုပေါင်းစပ်ထားလဲဆိုတာ ကြည့်ခဲ့ပါတယ်။ 128K sequential read မှာ 6550 ION မှာ 12.7GB/s တိုင်းတာခဲ့ပြီး Soldigim P5336 မှာ 7.5GB/s ရှိခဲ့ပါတယ်။ Micron drive မှာရှိတဲ့ TLC NAND မှာလည်း သိသာထင်ရှားတဲ့ write performance အကျိုးကျေးဇူးတွေ ရှိပြီး ကျွန်ုပ်တို့ရဲ့ 16K random write workload မှာ တွေ့ရှိခဲ့ရပါတယ်။ Micron 6550 ION မှာ 84.5k IOPs တိုင်းတာခဲ့ပြီး P5336 မှာ 51.9k IOPs သာ တိုင်းတာခဲ့ပါတယ်။

ဒီစမ်းသပ်မှုမှာ Micron 6550 ION ကို ဒီနေ့ ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် တင်ပို့ရောင်းချနေတဲ့ 61.44TB တစ်ခုတည်းသော Solidigm P5336 နဲ့ နှိုင်းယှဉ်ခဲ့ပါတယ်။ တူညီတဲ့ ကိုက်ညီမှုတော့ မဟုတ်ပေမယ့် အဓိကအချက်ကတော့ အဲဒါပါပဲ။ Micron ရဲ့ အင်ဂျင်နီယာအဖွဲ့က 7.5mm drive enclosure ထဲကို NAND ပမာဏ အံ့မခန်း ထည့်သွင်းနည်းကို တွက်ချက်ပြီး ပါဝါထိရောက်မှု၊ စွမ်းဆောင်ရည်နဲ့ ကုန်ကျစရိတ်သက်သာမှုတွေကို အလေးပေး လေ့လာခဲ့ပါတယ်။ စွမ်းဆောင်ရည်ကို အစောပိုင်း လေ့လာကြည့်ခြင်းအားဖြင့် ဒီ drive တွေမှာ သူတို့ရဲ့ စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပိုမိုနားလည်နိုင်ဖို့ အချိန်ပိုပေးခဲ့ရပါတယ်။

Micron 6550 ION ထုတ်ကုန်စာမျက်နှာ

ဤအစီရင်ခံစာကို Micron မှ ကမကထပြုပါသည်။ ဤအစီရင်ခံစာတွင် ဖော်ပြထားသော အမြင်များနှင့် ထင်မြင်ယူဆချက်အားလုံးသည် ထည့်သွင်းစဉ်းစားနေသော ထုတ်ကုန်(များ)အပေါ် ကျွန်ုပ်တို့၏ ဘက်မလိုက်သော အမြင်ပေါ်တွင် အခြေခံထားပါသည်။