Micron wprowadza na rynek dysk SSD SATA M510DC z szyfrowaniem danych korporacyjnych

by Adama Armstronga on July 14, 2015

Firma Micron Technology Inc. ogłosiła dziś wprowadzenie na rynek nowego dysku SSD z ulepszonym szyfrowaniem, przeznaczonego do obciążeń centrów danych zorientowanych na odczyt – Micron M510DC. Dysk M510DC, który będzie sprzedawany wraz z dyskiem M500DC (nie jest jego zamiennikiem), został zaprojektowany, aby ułatwić centrom danych przejście z dysków twardych na sprawdzone i niezawodne dyski flash. Dysk M510DC oferuje również pakiet funkcji ochrony danych w oprogramowaniu układowym, w tym pierwsze na rynku prawdziwe szyfrowanie danych klasy korporacyjnej TCG dla dysków SSD.

Dysk M510DC to połączenie wydajności, bezpieczeństwa, niezawodności korporacyjnej, mocy i ceny. Idealnie nadaje się do sieci dostarczania treści w chmurze i w sieciach Web 2.0, które poszukują krótszego czasu reakcji i szybszego podejmowania decyzji w analizie dużych zbiorów danych. Firma Micron zdołała obniżyć koszty, co czyni dysk M510DC bardziej atrakcyjnym dla klientów, którzy w przeszłości unikali dysków SSD ze względów budżetowych. Jedną z metod redukcji kosztów była analiza liczby zapełnień dysków dziennie w nowoczesnych centrach danych. Firma Forward Insights odkryła, że dwie trzecie centrów danych wymaga jednego zapełnienia dysków dziennie lub mniej, co stwarza duże możliwości dla dysków takich jak M510DC.

Dysk SSD M510DC został zbudowany w oparciu o sprawdzoną technologię 16 nm NAND firmy Micron. Wykorzystuje architekturę eXtended Performance and Enhanced Reliability Technology (XPERT) firmy Micron. Dysk SSD oferuje pełną ochronę przed utratą zasilania i jest pierwszym dyskiem szyfrującym TCG Enterprise, który chroni dane w spoczynku. Firma Micron informuje, że pierwsi użytkownicy odnotowują natychmiastowy zwrot z inwestycji po wdrożeniu dysku SSD M510DC firmy Micron.

Specyfikacja M510DC:

Współczynnik kształtu: 2.5"
Interfejs: SATA 6 Gb/s
Pojemności: 120 GB, 240 GB, 480 GB, 960 GB
Możliwość podłączania na gorąco
NAND: Mikron 16 nm MLC
Wydajność:
- Wydajność 120 GB (stan stały)
  - Sekwencyjny odczyt 128 KB: 420 MB/s
  - Sekwencyjny zapis 128 KB: 170 MB/s
  - Losowy odczyt 4 KB: 60 000 IOPS
  - Losowy zapis 4 KB: 26 000 IOPS
  - Opóźnienie ODCZYTU/ZAPISU: 0.50 ms/3.0 ms (TYP)
- Wydajność 240 GB (stan stały)
  - Sekwencyjny odczyt 128 KB: 420 MB/s
  - Sekwencyjny zapis 128 KB: 290 MB/s
  - Losowy odczyt 4 KB: 60 000 IOPS
  - Losowy zapis 4 KB: 26 000 IOPS
  - Opóźnienie ODCZYTU/ZAPISU: 0.50 ms/2.0 ms (TYP)
- Wydajność 480 GB (stan stały)
  - Sekwencyjny odczyt 128 KB: 420 MB/s
  - Sekwencyjny zapis 128 KB: 380 MB/s
  - Losowy odczyt 4 KB: 60 000 IOPS
  - Losowy zapis 4 KB: 26 000 IOPS
  - Opóźnienie ODCZYTU/ZAPISU: 0.50 ms/2.0 ms (TYP)
- Wydajność 960 GB (stan stały)
  - Sekwencyjny odczyt 128 KB: 420 MB/s
  - Sekwencyjny zapis 128 KB: 380 MB/s
  - Losowy odczyt 4 KB: 60 000 IOPS
  - Losowy zapis 4 KB: 26 000 IOPS
  - Opóźnienie ODCZYTU/ZAPISU: 0.50 ms/3.0 ms (TYP)
Niezawodność
- MTTF: 2.0 miliona godzin pracy urządzenia3
- Statyczne i dynamiczne wyrównywanie zużycia
- Niekorygowany współczynnik błędów bitowych (UBER): <1 sektor na 10^16 odczytanych bitów
- Kompleksowa ochrona danych
- Ulepszona ochrona danych przed utratą zasilania dzięki monitorowaniu kondensatora zabezpieczającego dane
Wytrzymałość: całkowita liczba zapisanych bajtów (TBW)
- 120 GB: 460 TB
- 240 GB: 920 TB
- 480 GB: 1850 TB
- 960 GB: 1140 TB
Pobór mocy:
<6.0 W (TYP) (<6.3 W (TYP) dla 960 GB)