Firma Samsung poinformowała, że jej linia produkcyjna pamięci w Xi'an w Chinach rozpoczęła pełnowymiarową działalność produkcyjną w nowym zakładzie. Będą w nim wytwarzane zaawansowane układy pamięci flash NAND, 3D V-NAND.
Wiceprezes i dyrektor generalny Samsunga, dr Oh-Hyun Kwon, włożył mnóstwo wysiłku w organizację uroczystości otwarcia zakładu, goszcząc liczną rzeszę gości, w tym dygnitarzy rządowych, takich jak Zhao Zhengyong, sekretarz Komitetu Komunistycznej Partii Chin w prowincji Shaanxi, Lou Qinjian, gubernator prowincji Shaanxi, oraz Young-se Kwon, ambasador Republiki Korei w Chińskiej Republice Ludowej. Wśród innych gości znaleźli się dostawcy i klienci Samsunga.
Budowa nowego zakładu produkcyjnego rozpoczęła się we wrześniu 2012 r. i trwała około 20 miesięcy. Całkowita powierzchnia zakładu wynosi około 750 000 stóp kwadratowych, a jego powierzchnia wynosi 282 akrów.
Rozpoczynając działalność w Chinach, Samsung zapewnił sobie solidną bazę produkcyjną pamięci na rynku, na którym wytwarzane jest około 50 procent globalnej produkcji pamięci flash NAND; wszystkie z baz produkcyjnych obsługiwanych przez liczne firmy IT. Samsung planuje zakończyć budowę całego kompleksu w Xi'an, w tym zakładu montażowego i linii testowej, do końca 2014 roku.
Amazon