Samsung rozpoczął masową produkcję wbudowanej pamięci masowej Universal Flash Storage (eUFS) 2.1 o pojemności 1 TB, przeznaczonej do zastosowań mobilnych nowej generacji. Podobnie jak w przypadku wersji 128 GB , jest to pierwsze tego typu rozwiązanie w branży. Ta nowa technologia pozwoli użytkownikom smartfonów korzystać z pamięci masowej podobnej do pojemności notebooków klasy premium, eliminując konieczność uzupełniania pamięci kartami microSD.
Chociaż nowy eUFS ma dwukrotnie większą pojemność w porównaniu z poprzednią wersją, wykorzystuje te same wymiary obudowy (11.5 mm x 13.0 mm). Samsungowi udało się to osiągnąć, łącząc 16 warstw swojej najnowocześniejszej pamięci flash V-NAND o pojemności 512 GB z nowo opracowanym, opatentowanym kontrolerem.
Dysk eUFS o pojemności 1 TB ma zapewniać prędkość odczytu do 1 GB/s, czyli mniej więcej dwukrotnie większą niż tradycyjny konsumencki dysk SSD SATA. Samsung dodaje, że prędkość odczytu losowego wzrosła nawet o 38% w porównaniu z poprzednią wersją 512 GB, osiągając maksymalną prędkość 58 000 IOPS. Przewiduje się, że prędkość zapisu losowego osiągnie do 50 000 IOPS.
Dostępność:
Nie ma konkretnej daty, kiedy nowy układ eUSF o pojemności 1 TB firmy Samsung zostanie powszechnie wdrożony w urządzeniach mobilnych. Oczekuje się jednak, że w pierwszej połowie 2019 roku firma zwiększy produkcję 512-gigabajtowej pamięci V-NAND w swojej fabryce w Pyeongtaek. Niewątpliwie firmy produkujące urządzenia mobilne będą cieszyć się bardzo dużym popytem na ich nowy układ eUFS o pojemności 1 TB.
Amazon