Samsung rozpoczął masową produkcję dysków SSD SATA o pojemności 250 GB, które integrują 3-bitową pamięć V-NAND szóstej generacji (1xx-warstwową) o pojemności 256 GB, przeznaczoną dla globalnych producentów komputerów PC. Dzięki technologii „trawienia otworów kanałowych” Samsung twierdzi, że nowa pamięć V-NAND dodaje około 40% więcej komórek w porównaniu z poprzednią, 9-warstwową strukturą jednowarstwową. Osiąga się to poprzez zbudowanie przewodzącej elektrycznie formy złożonej ze 136 warstw, a następnie pionowe wywiercenie cylindrycznych otworów od góry do dołu, co tworzy jednorodną, trójwymiarową strukturę komórek flash z pułapką ładunkową (CTF).
Wraz ze wzrostem wysokości stosu form w każdym obszarze komórki, mogą wystąpić błędy i opóźnienia odczytu. Aby temu zaradzić, Samsung zintegrował zoptymalizowaną pod kątem szybkości konstrukcję obwodów, która pozwala osiągnąć najwyższą prędkość przesyłu danych: poniżej 450 μs dla zapisu i 45 μs dla odczytu. Samsung deklaruje ponad 10% wzrost wydajności w porównaniu z poprzednią generacją, przy ponad 15% redukcji zużycia energii. W rezultacie, montując zaledwie trzy z obecnych stosów, firma twierdzi, że będzie w stanie zaoferować rozwiązania V-NAND nowej generacji z ponad 300 warstwami bez obniżania wydajności i niezawodności układów.
Samsung zmniejszył również liczbę otworów kanałowych wymaganych do uzyskania gęstości chipa 256 GB do 670 milionów otworów (w porównaniu z ponad 930 milionami w poprzedniej generacji). Pozwoli to na zmniejszenie rozmiarów chipów, zmniejszenie liczby etapów procesu i ponad 20-procentową poprawę wydajności produkcji.
Oczekuje się, że Samsung zaoferuje dysk SSD V-NAND 3-bit o pojemności 512 GB i dysk eUFS w drugiej połowie 2019 roku. Ponadto, począwszy od przyszłego roku, firma rozszerzy produkcję szybszych i pojemniejszych rozwiązań V-NAND 6. generacji w swoim oddziale w Pyeongtaek (Korea).
Amazon