Firma Samsung Electronics Co., Ltd. wprowadziła na rynek trzecią generację pamięci High Bandwidth Memory 2E (HBM2E), znanej również jako „Flashbolt”. Najnowsza generacja pamięci HBM2E ma 16 GB, co czyni ją idealną do systemów HPC, a także do obsługi superkomputerów, analizy danych opartej na sztucznej inteligencji oraz najnowocześniejszych systemów graficznych. Aquabolt będzie nadal produkowany, dopóki trwa produkcja tej generacji.
Poprzednia generacja, Aquabolt, miała pojemność 8 GB. Flashbolt osiąga 16 GB dzięki pionowemu ułożeniu ośmiu warstw 16-gigabitowych (Gb) kości DRAM klasy 10 nm (1y) na chipie buforowym. Co więcej, Flashbolt jest precyzyjnie połączony ponad 40 000 mikrowypukłościami „przez krzem” (TSV), a każda 16-gigabitowa kość zawiera ponad 5,600 tych mikroskopijnych otworów. Samsung twierdzi, że najnowsza generacja może osiągnąć niezawodną prędkość transferu danych 3.2 gigabitu na sekundę i przepustowość pamięci 410 GB/s na stos. To znaczna poprawa w porównaniu z poprzednią generacją, która osiągała 307 GB/s.
Dostępność:
Samsung spodziewa się rozpoczęcia produkcji seryjnej w pierwszej połowie 2020 roku.
Amazon