Samsung ogłosił rozpoczęcie masowej produkcji pierwszej w branży trójwymiarowej (3D) pamięci flash V-NAND, wykorzystującej 32 pionowo ułożone warstwy komórek, czyli drugiej generacji pamięci V-NAND. 32-warstwowa pamięć 3D V-NAND (lub Vertical NAND) firmy Samsung wymaga bardziej zaawansowanej technologii projektowania do układania komórek w stosy niż poprzednia 24-warstwowa pamięć V-NAND. Nadal jednak zapewnia znacznie większą wydajność produkcji, ponieważ Samsung będzie używał zasadniczo tego samego sprzętu, co w przypadku pierwszej generacji pamięci V-NAND.
Samsung wprowadził właśnie na rynek linię dysków SSD klasy premium (konsumenckich) opartych na pamięci flash V-NAND drugiej generacji , o pojemnościach 128 GB, 256 GB, 512 GB i 1 TB. Po wprowadzeniu w zeszłym roku dysków SSD opartych na technologii 3D V-NAND do centrów danych, Samsung rozszerza teraz swoją ofertę dysków SSD V-NAND o zastosowania w komputerach klasy high-end. Nowe dyski SSD charakteryzują się około dwukrotnie większą wytrzymałością na zapis oraz o 20% mniejszym poborem energii w porównaniu z dyskami planarnymi (2D) MLC NAND. Samsung wprowadzi na rynek kolejne dyski SSD oparte na technologii 3D, oparte na tej generacji pamięci V-NAND, jeszcze w tym roku, oferując jeszcze wyższą niezawodność i gęstość.
Amazon