Texas Memory Systems wprowadził na rynek swój pierwszy korporacyjny produkt eMLC o pojemności 10 TB i wydajności Tier-0, z przepustowością 4-8 GB/s i 320 tys. losowych operacji wejścia/wyjścia na sekundę (IOPS). Cała ta wydajność mieści się w niewielkiej obudowie 1U, a zapotrzebowanie na energię wynosi zaledwie 250 W.
- Najszybsza na świecie pamięć masowa®: stała szybkość operacji wejścia/wyjścia do 320 000 IOPS przy odczytach i zapisach oraz stała, losowa przepustowość do 4 GB/s.
- Odporna na awarie pamięć Flash (FTF): Pamięć Flash zastosowana w pamięci RamSan-810 to pamięć eMLC klasy korporacyjnej. Każda karta Flash w pamięci RamSan-810 posiada wbudowaną ochronę RAID, chroniącą przed awarią układu. Dodatkowo, zaawansowany układ ECC na poziomie układu zapewnia wiele obszarów korekcji bitów na blok.
- Kontroler pamięci flash Series-7™: Kluczem do bezkompromisowej wydajności RamSan-810 jest kontroler pamięci flash Series-7. Oparty na wydajnych układach FPGA Xilinx i procesorze PowerPC, kontroler pamięci flash Series-7 można modernizować w terenie, co gwarantuje klientom TMS zawsze najwyższą wydajność i najnowsze funkcje.
- Variable Stripe RAID (VSR)™: VSR to opatentowana technologia dostępna wyłącznie dla klientów TMS, która radykalnie redukuje liczbę niewykorzystanych płaszczyzn. W przypadku awarii płaszczyzny, VSR automatycznie odbudowuje i przenosi dane z tej płaszczyzny. Następnie umożliwia ponowne zapisanie danych w tym obszarze, dynamicznie zmieniając rozmiar paska, aby uniknąć awarii płaszczyzny. W tradycyjnych systemach RAID cały pasek byłby bezużyteczny, a wszystkie pozostałe sprawne płaszczyzny zostałyby utracone.
- 8 Gbit Fibre Channel: RamSan-810 jest wyposażony w nowe, dwuportowe kontrolery 8 Gbit Fibre Channel.
- QDR InfiniBand: RamSan-810 może być wyposażony w maksymalnie dwa porty QDR InfiniBand.
- Aktywny zapas: Jedna karta FTF może zostać wyznaczona jako aktywny zapas, który współpracuje z RAID na poziomie układu scalonego. Jeśli jedna z kart ulegnie awarii, która obniży poziom ochrony RAID, system natychmiast przeniesie dane z tej karty do zapasowego zapasu, aby przywrócić pełną redundancję.
- Wyrównywanie zużycia: RamSan-810 wykorzystuje technologię wyrównywania zużycia, która chroni nośnik Flash, rozkładając operacje zapisu i maksymalizując żywotność systemu pod kątem możliwości zapisu.
- Całkowicie nieulotna: Pamięć flash jest z natury nieulotna. Baterie są wbudowane w konstrukcję wszędzie tam, gdzie używane są bufory RAM, zapewniając wystarczającą moc do synchronizacji buforów z pamięcią flash.
- Niezrównana skalowalność: Pojedyncza obudowa 1U pozwala na rozbudowę pamięci flash z 2 do 10 TB oraz zawiera dwa porty Fibre Channel lub dwa porty InfiniBand. Można dodać wiele jednostek, aby spełnić dowolne wymagania dotyczące pojemności lub wydajności.
- Niski pobór mocy: RamSan-810 zużywa zazwyczaj tylko 250 watów mocy.
RamSan-810 jest dostępny z interfejsem Fibre Channel 8 Gb/s lub QDR InfiniBand i wyposażony w kontroler pamięci flash TMS Series-7, układ oparty na FPGA PowerPC. Produkt charakteryzuje się dziesięcioletnią żywotnością przy obciążeniu zapisu 50 TB dziennie.
RamSan-810 skaluje się 40-krotnie do 400 TB, 160 GB/s i 12.8 mln IOPS w szafie 40U. Zapotrzebowanie na energię w tym systemie również wzrasta do 10 kW.
Amazon