Firma Toshiba Memory America, Inc. ogłosiła dziś wprowadzenie na rynek swojego rozwiązania pamięci masowej (SCM) – XL-FLASH. XL-FLASH opiera się na technologii pamięci flash BiCS FLASH 3D firmy Toshiba z pamięcią SLC o gęstości 1 bita na komórkę. Nowa technologia SCM ma na celu zapewnienie przedsiębiorstwom wysokiej wydajności przy jednoczesnym ekonomicznym zmniejszeniu opóźnień.
Czym jest Toshiba XL-FLASH?
Pamięć klasy Storage jest również nazywana pamięcią trwałą (lub, jak często ją nazywamy, PMEM). SCM ma zdolność przechowywania danych podobną do NAND, ale pod względem wydajności plasuje się pomiędzy pamięcią DRAM a NAND. DRAM nadal zapewnia znacznie wyższą wydajność, ale za cenę, która nie wydaje się spadać w najbliższym czasie. SCM dodaje nową warstwę lub poziom do hierarchii pamięci masowej w przystępnej cenie. SCM zapewnia również większą pojemność niż DRAM i wyższą prędkość (przy mniejszym opóźnieniu) niż 3D NAND.
Najważniejsze cechy to:
- 128-gigabitowa (Gb) matryca (w obudowie 2-matrycowej, 4-matrycowej, 8-matrycowej)
- Rozmiar strony 4 KB zapewnia wydajniejszy odczyt i zapis w systemie operacyjnym
- Architektura 16-płaszczyznowa zapewniająca bardziej wydajny paralelizm
- Krótki czas odczytu i programowania stron. Pamięć XL-FLASH zapewnia niskie opóźnienie odczytu, poniżej 5 mikrosekund, około 10 razy szybciej niż obecna pamięć TLC.
Początkowa premiera pamięci XL-FLASH firmy Toshiba będzie miała miejsce w formacie SSD. Jednak w przyszłości pamięć SCM może zostać przeniesiona do kanału pamięci umieszczonego na magistrali DRAM, podobnie jak w przypadku pamięci NVDIMM. Toshiba będzie bazować na swojej długiej historii technologii NAND (firma twierdzi, że to ona wynalazła pamięć NAND i jako pierwsza ogłosiła wprowadzenie pamięci flash 3D) na rynek pamięci SCM.
Dostępność:
Toshiba rozpocznie produkcję próbek pamięci XL-FLASH we wrześniu, a masowa produkcja ma się rozpocząć w 2020 roku.
Amazon