英特尔和美光宣布推出基于 3 纳米工艺技术的每单元 3 位 (25bpc) NAND 闪存。 样品即将推出，预计今年将进行全线生产。
8GB 25nm 光刻每个单元存储三位信息（三级单元 TLC），而不是传统的一位（单级单元）或两位（多级单元）。 结果是该设备比相同容量的 20nm MLC 小 25% 以上，后者是目前生产的最小的单个 8GB 设备。
英特尔 Tom Rampone 表示：“随着 25 月份推出业界最小的 3nm 裸片尺寸，随后很快转向 25nm 上的每单元 8 位，我们继续获得动力并为客户提供一系列引人注目的领先产品。”英特尔 NAND 解决方案事业部副总裁兼总经理。 “英特尔计划利用 IMFT 在设计和制造方面的领先地位，基于新的 25GB TLC XNUMXnm NAND 设备为我们的客户提供更高密度、具有成本竞争力的产品。”
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