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英特尔和美光展示新的 20 纳米 NAND 闪存

电子消费品

正当人们以为围绕25nm NAND闪存的消息开始平息时,英特尔和美光又发布了全新的、尺寸更小的20nm NAND闪存。据称,与25nm闪存相比,这种新的20nm工艺尺寸缩小了30%到40%,将实现更大的容量、更低的成本,以及更短的写入周期。

目前唯一存在的预生产样品是 8GB 大小,尺寸仅为 118 毫米。 除了更大容量的主流 2.5 英寸 SSD 可能会使用这种更新、更小的 NAND; 主要目标是将更多容量装入越来越小的设备中。 另一个优势是让一些设备(如智能手机)保持相同的容量,但为更大的屏幕或增加的电池容量留出更多的物理空间。 在这两种情况中的任何一种情况下,它都在牺牲闪存的大小以允许在其他领域取得更大的发展。

为了让您了解新闪存有多小,英特尔将展示一款 16GB 设备,可扩展至 128GB,比美国邮票还小。

对于普通买家来说,这个消息应该不会对你现在在设备上看到的东西产生太大影响。 目前 SSD 制造商仍在从 32/34 纳米 NAND 过渡到 25 纳米,目前还没有人谈论转向 20 纳米的计划。 最主要的是,SSD 的发展仍在幕后发生,容量更大、价格更低、配置更新。

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布赖恩·比勒

Brian 位于俄亥俄州辛辛那提市,是 StorageReview.com 的首席分析师兼总裁。