美光科技宣布推出一系列高产量人工智能内存和存储产品 英伟达 GTC 2026其中最引人注目的是其 HBM4 36GB 12 层堆叠、192GB SOCAMM2 模块和 Micron 9650 PCIe Gen6 数据中心 SSD。
美光HBM4
此 HBM4 36GB 12H 规格的内存产品将于 2026 年第一季度开始量产，专为 NVIDIA Vera Rubin 平台设计。美光官方数据显示，该内存的引脚传输速度超过 11 Gb/s，带宽超过 2.8 TB/s。与 HBM3E 相比，美光表示其带宽提升了 2.3 倍，能效提高了 20% 以上。
美光还透露，其高容量HBM4芯片的研发也取得了进展：采用16芯片堆叠结构的48GB 16H HBM4芯片样品已交付给客户。与36GB 12H HBM4芯片相比，该芯片的单芯片容量提升了33%。
除了 HBM4 之外，美光的 SOCAMM2 产品现在也已纳入到整个推广计划中。 NVIDIA 维拉·鲁宾 该系统。192GB SOCAMM2 内存条已实现量产，其容量范围涵盖 48GB 至 256GB。这些内存条专为 NVIDIA Vera Rubin NVL72 系统和独立 NVIDIA Vera CPU 平台设计。美光表示，该配置可为每个 CPU 提供高达 2TB 的内存容量和 1.2TB/s 的带宽。
微米9650
在存储方面，美光已将其 PCIe Gen6 数据中心固态硬盘投入大规模生产。 微米9650 据称，这是首款量产的 PCIe Gen6 数据中心 SSD。它专为基于 NVIDIA BlueField-4 STX 参考架构的 AI 训练和推理工作负载而设计，也适用于液冷环境。
这款固态硬盘的顺序读取速度高达 28 GB/s，随机读取 IOPS 高达 550 万。美光还表示，它的读取性能是第五代固态硬盘的两倍，每瓦性能提升 100%。
两种版本：PRO 和 MAX
Micron 9650 提供两种配置：PRO 和 MAX。两款型号均采用 G9 TLC NAND，并提供 E1.S 和 E3.S 两种外形尺寸，支持现代数据中心部署标准。
美光 9650 PRO
- 容量：7.68 TB 至 30.72 TB
- 顺序读取/写入速度：28,000 / 14,000 MB/s
- 随机读取：5.4万至5.5万IOPS
- 随机写入：500,000–570,000 IOPS
- 耐久性：每天写入 1 次硬盘，持续五年
美光 9650 MAX
- 容量：6.4 TB 至 25.6 TB
- 顺序读取/写入速度：28,000 / 14,000 MB/s
- 随机读取：5.4万至5.5万IOPS
- 随机写入：最高可达 900,000 IOPS
- 耐力：五年内每天工作 3 天
这两款硬盘的最大功耗均为 25 瓦，在 50°C 环境下平均故障间隔时间 (MTBF) 为 2.5 万小时，并支持高级安全性和合规性功能。此外，这两款硬盘还兼容 GPU 直通技术和液冷环境。
Micron 的 Gen5 产品线与该产品并行推出，Micron 7600 和 9550 SSD 被列为设计数据中心系统的客户的其他选择。
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