Pure Storage 揭示 FlashArray//m 架构细节

by 莱尔·史密斯 on 2015 年 11 月 5 日

今年6月，Pure Storage发布了名为FlashArray//m的全新全闪存阵列，这是他们最新的全闪存主存储解决方案。Pure Storage近日公布了更多关于这款新阵列的信息，特别是FlashArray//m的组成组件：整体架构、NV-RAM、PCIe非透明桥接器以及闪存模块。

在查看其架构时，Pure Storage 透露，尽管它仍然利用包括英特尔 CPU、DRAM 内存和标准 SSD 在内的商品组件，但他们已将它们打包到新阵列中的更小、更高密度的平台中。这允许 //m 充分利用技术和密度/价格点目标。

在发布会上，Pure Storage 宣布他们为 FlashArray//m 自主研发了 NV-RAM 存储卡，这相比FA-400 系列中使用的 SLC SSD 而言是一项重大进步。该存储系统会将写入操作先写入 NV-RAM，然后再将数据均匀地分布到 //m 中的所有 SSD 上。Pure Storage 称之为 FlashCare 的技术，利用 NV-RAM 可以延长底层 SSD 的使用寿命。NV-RAM 在存储阵列领域并不常见。此前，包括Nexenta 在内的许多厂商都曾使用过这项技术。但长期以来，NV-RAM 解决方案的选择非常有限。STEC 曾推出过一款名为 ZeusRAM 的产品，HGST 目前仍在以极小的产量继续销售。虽然其他厂商也发布过类似的解决方案，但这些方案的规模有限，而且价格往往非常昂贵。正因如此，Pure Storage 才决定自主研发，为 //m 阵列量身定制 NV-RAM 解决方案。

此外，新的 NV-RAM 模块结合了由超级电容器支持的 DDR3 DRAM 和 NAND 闪存。因此，超级电容器内部存储的能量可用于在突然断电时为 NV-RAM 模块供电。 Pure Storage 的新闪存阵列配备了多达 4 个这样的热插拔模块，它们双宿主到两个控制器，并通过支持 NVMe 的 PCIe 连接。

同时宣布的还有 FlashArray//m 使用非透明桥接器 (NTB)，这是一种连接两个系统的点对点 PCIe 总线，可在两个子系统之间提供电气隔离。这会减少实现高可用性所需的组件数量。 Pure Storage 声称这将意味着更少的布线复杂性以及控制器之间的本机性能的改进。

Pure Storage 使用闪存模块设计允许使用新的插入器将 SATA 转换为 SAS，并为每个模块中的两个 SSD 提供接口。这不仅增加了容量，而且还允许双倍数量的 SSD 控制器，从而显着提高性能。 Pure Storage 补充说，每个闪存模块都是可热插拔的，并且通过基于 PCIe 的 SAS 12Gb/s 连接双宿主到每个控制器。使用 SATA SSD 还有助于降低 //m 的成本。