三星宣布推出首款基于其 3D V-NAND 技术的 SSD，专为企业服务器和数据中心应用而设计。 该公告已在我们参加的闪存峰会上发布。 新的 V-NAND SSD 将提供 960GB 和 480GB 两种容量。 960GB V-NAND SSD 通过 SATA 6Gb/s 连接，并利用 64 个 MLC 3D V-NAND 闪存芯片，存储容量为 128Gb，可将顺序和随机写入速度提高 20% 以上。 对于采用新技术的组织来说，也许更重要的是，新的 V-NAND SSD 提供 35K 程序擦除周期。
正如我们在三星近期发布其 3D V-NAND 技术时的报道中所提到的，该技术的工作原理是将平面单元层垂直堆叠成 3D 结构。该 3D 单元阵列由 24 层组成，这些层通过圆柱形 3D 电荷陷阱闪存单元结构和垂直互连工艺连接。因此，与 20-30nm 平面 NAND 闪存相比，三星的 3D V-NAND 可实现两倍的制造效率提升。V-NAND SSD 提供多种高度选择，均为 2.5 英寸规格。其高度分别为 x、y 和 z 方向的 10 厘米、7 厘米和 7 毫米，从而为服务器制造商提供更大的灵活性。
三星近日宣布已开始生产V-NAND固态硬盘。
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