三星宣布已开始量产容量为1Tb的第八代三层单元（TLC）V-NAND闪存，该产品拥有业界最高的位密度。这款新型V-NAND闪存还将提供目前市场上最高的存储容量，从而为下一代企业级服务器系统提供更大的存储空间。三星此前曾在2022年闪存峰会和三星存储技术日上发布了这款第八代1Tb TLC V-NAND闪存，并于2020年宣布扩大其位于韩国平泽的NAND闪存产能。
三星表示，他们的第 8 代 V-NAND 将有助于满足快速增长的市场需求，并将允许他们开发更多独特的产品和解决方案。 他们能够通过显着提高每个晶圆的比特生产率来达到这种比特密度。
使用最新的“Toggle DDR 5.0 接口”，三星新的 V-NAND 技术具有高达 2.4Gbps 的 I/O 速度，大约是上一代产品的 1.2 倍。 这将使新的 V-NAND 能够支持 PCIe 4.0 和 PCIe 5.0 的性能要求和标准（尽管在以后）。
三星相信其第八代 V-NAND 将有助于扩展下一代企业服务器的存储容量。 他们还计划将其应用扩展到汽车市场。
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