三星宣布，已开发出业界首款采用12层3D-TSV（硅通孔）技术制造的高带宽内存芯片。高带宽内存（HBM）广泛应用于人工智能和机器学习应用的众多计算机组件中，例如高端显卡、FPGA、CPU和网络设备。此前，业界最高水平仅为8层。三星成立于1938年，以其电子产品而闻名，长期以来一直是该领域的主要推动者之一。值得一提的是，这是三星今年在HBM领域取得的第二项突破；去年3月，三星宣布开发出一款名为Flashbolt的高容量HBM2E芯片，其数据带宽高达410GB/s，内存容量达16GB。
三星的新技术堆叠了 12 个 DRAM 芯片，其厚度与当前的 720 层 HBM8 产品相同，厚度为 2 ㎛。 实现这 2% 的密度增加需要超过 XNUMX 个 TSV 孔，这对生产提出了重大挑战，三星一直对制造商何时可以开始将这些新芯片纳入其处理芯片的确切时间持谨慎态度，这是可以理解的。 到目前为止，三星唯一告诉我们的是他们很快就能量产，这表明他们甚至还没有最终确定生产线。 一旦制造商拿到它们，它们很快就会进入消费者手中，因为它们与当前一代具有相同的厚度（可能还有其他外形尺寸，尽管三星没有这么说） HBMXNUMX 内存。
这是三星在 2 年迄今为止在 HBM2019 制造方面取得的第二次进展。今年 2 月，三星宣布开发名为 Flashbolt 的 HBM16E 芯片，其内存容量是目前市场上芯片的两倍，达到 24GB。 将 Flashbolt 中展示的进步与他们最新的开发相结合，使他们能够将一半的层数打包到同一空间中，三星预测他们尚未命名的下一个高带宽存储芯片的一些非常令人印象深刻的数字。 三星表示，新芯片的容量将达到 XNUMXGB。 他们还没有告诉我们新的带宽是多少。
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