在 2017 年闪存峰会 (FMS) 上，三星电子有限公司宣布了几项新的 V-NAND（垂直 NAND）内存解决方案和技术。 这些新技术包括首款 1Tb V-NAND 芯片、16TB 下一代小型 (NGSFF) SSD、延迟低于 NVMe 的 Z-SSD 以及 Key value SSD 技术。 这些新技术旨在解决诸如需要以更小的占用空间提供更高的密度、由于人工智能和物联网 (IoT) 技术导致数据密集型应用的增加以及对越来越低的延迟的需求等问题。
每年在 FMS，三星都会举办技术日，展示其最新的技术发展，并制定解决下一代数据处理挑战的方法。 今年，该公司展示了各种新的 V-NAND 技术，涵盖了企业主要面临的各种问题。
密度方面的一个有趣发展是引入了 1Tb（太比特）V-NAND 芯片。 虽然该公司在首次推出 3D V-NAND 时提到了这一点，但技术突破才刚刚实现。 三星能够在单个芯片上堆叠 16 个 1Tb 芯片，从而在单个 V-NAND 封装中实现 2TB。 这将大大增加 SSD 的密度，而无需移动到更大的外形尺寸。 对于在相同占地面积内寻求更高密度的行业，三星可能会为他们提供答案。
说到密度提升，三星还推出了一款新的 NGSFF SSD，容量高达 16TB，尺寸仅为 30.5mm x 110mm x 4.38mm。 这款新硬盘专为需要更大容量和更高 IOPS 的 1U 服务器而设计。 三星表示，单个 1U 服务器可以扩展到 576TB（使用 36 个新的 NGSFF SSD）或通过添加另一台服务器在 1U 空间中拥有超过 2PB。 该公司还声称组合驱动器可以达到 10 万次 IOPS 随机读取。
去年三星发布了Z-SSD技术，但并未透露太多细节。今年，该公司推出了Z-SSD产品SZ985，但仍然没有解释其具体原理。据称，这款新硬盘的读取延迟仅为15微秒，优于NVMe SSD。这对于实时分析或高速服务器缓存来说将大有裨益。至于这项技术或Z-NAND究竟是什么，目前尚不得而知，因为该公司对此讳莫如深，或许是过于谨慎了，毕竟目前已有相关产品正在研发中。
最后，三星推出了 Key value SSD 技术，从而以更高效的方式处理复杂的数据集，使现有的 NAND 技术性能更快。 该技术不是将数据转换成要处理的块，而是为每个“值”或对象数据分配一个“键”或特定位置——无论其大小。 该密钥支持对数据位置的直接寻址，这反过来又支持扩展存储。 这项新技术将主要有利于社交媒体服务和物联网应用。
可用性
每芯片 1Tb 的 V-NAND 技术预计将于明年面市。 三星打算在今年第四季度量产新的 NGSFF SSD。
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